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PHD21N06LT118

MOSFET TRENCH-55

器件类别：半导体分立半导体

厂商名称：NXP(恩智浦)

厂商官网：https://www.nxp.com

参数参数对比

器件参数

参数名称

属性值

Product Attribute

Attribute Value

制造商
Manufacturer

NXP(恩智浦)

产品种类
Product Category

MOSFET

技术
Technology

Si

安装风格
Mounting Style

SMD/SMT

封装 / 箱体
Package / Case

TO-252-3

Number of Channels

1 Channel

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

55 V

Id - Continuous Drain Current

19 A

Rds On - Drain-Source Resistance

70 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

15 V

最小工作温度
Minimum Operating Temperature

- 55 C

最大工作温度
Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Configuration

Single

Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation

56 W

Channel Mode

Enhancement

系列
Packaging

Reel

Transistor Type

1 N-Channel

工厂包装数量
Factory Pack Quantity

2500

单位重量
Unit Weight

0.012346 oz

参数对比

与PHD21N06LT118相近的元器件有：PHP21N06LT127。描述及对比如下：

型号	PHD21N06LT118	PHP21N06LT127
描述	MOSFET TRENCH-55	MOSFET RAIL PWR-MOS
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
产品种类 Product Category	MOSFET	MOSFET
技术 Technology	Si	Si
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-252-3	TO-220-3
Number of Channels	1 Channel	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	55 V	55 V
Id - Continuous Drain Current	19 A	19 A
Rds On - Drain-Source Resistance	70 mOhms	70 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	15 V	15 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 175 C
Configuration	Single	Single
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	56 W	56 W
Channel Mode	Enhancement	Enhancement
系列 Packaging	Reel	Rail
Transistor Type	1 N-Channel	1 N-Channel
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2500	1000
单位重量 Unit Weight	0.012346 oz	0.211644 oz

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