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PJP7NA65_T0_00001

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

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器件:PJP7NA65_T0_00001

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
not_compliant
雪崩能效等级(Eas)
435 mJ
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
650 V
最大漏极电流 (ID)
7 A
最大漏源导通电阻
1.5 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
28 A
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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