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PJS6603_S1_00001

Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 30V, 0.048ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

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器件:PJS6603_S1_00001

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
强茂(PANJIT)
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code
compliant
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (ID)
4.4 A
最大漏源导通电阻
0.048 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G6
元件数量
2
端子数量
6
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
17.6 A
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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