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PJX8806_R1_00001

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET . ESD Protected

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件:PJX8806_R1_00001

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
包装说明
GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
Reach Compliance Code
compli
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
20 V
最大漏极电流 (ID)
0.8 A
最大漏源导通电阻
0.4 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-F6
元件数量
2
端子数量
6
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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