PSD312-15B,PSD312-15B pdf中文资料,PSD312-15B引脚图,PSD312-15B电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与PSD312-15B相近的元器件有：PSD312-90A、PSD312-15IB、PSD312-20IB、PSD312-20B、PSD312-12A、PSD312-90KA。描述及对比如下：

型号	PSD312-15B	PSD312-90A	PSD312-15IB	PSD312-20IB	PSD312-20B	PSD312-12A	PSD312-90KA
描述	Micro Peripheral IC, CMOS, PQFP52	Micro Peripheral IC, CMOS, PQCC44	Micro Peripheral IC, CMOS, PQFP52	Micro Peripheral IC, CMOS, PQFP52	Micro Peripheral IC, CMOS, PQFP52	Micro Peripheral IC, CMOS, PQCC44	Micro Peripheral IC, CMOS, CQCC44
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明	QFP, QFP52,.7SQ,40	QCCJ, LDCC44,.7SQ	QFP, QFP52,.7SQ,40	QFP, QFP52,.7SQ,40	QFP, QFP52,.7SQ,40	QCCJ, LDCC44,.7SQ	QCCJ, LDCC44,.7SQ
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
最长访问时间	1.5e-7 ns	9e-8 ns	1.5e-7 ns	2e-7 ns	2e-7 ns	1.2e-7 ns	9e-8 ns
JESD-30 代码	S-PQFP-G52	S-PQCC-J44	S-PQFP-G52	S-PQFP-G52	S-PQFP-G52	S-PQCC-J44	S-XQCC-J44
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
端子数量	52	44	52	52	52	44	44
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC
封装代码	QFP	QCCJ	QFP	QFP	QFP	QCCJ	QCCJ
封装等效代码	QFP52,.7SQ,40	LDCC44,.7SQ	QFP52,.7SQ,40	QFP52,.7SQ,40	QFP52,.7SQ,40	LDCC44,.7SQ	LDCC44,.7SQ
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK	CHIP CARRIER	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
ROM大小（位）	512 Bits	512 Bits	512 Bits	512 Bits	512 Bits	512 Bits	512 Bits
最大待机电流	0.0001 A	0.0001 A	0.00015 A	0.00015 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A
标称供电电压	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	J BEND	GULL WING	GULL WING	GULL WING	J BEND	J BEND
端子节距	1 mm	1.27 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
紫外线可擦	N	N	N	N	N	N	Y

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方波、三角波、正弦波信号发生器

积蓄翻转型方波发生器由迟滞比较器和RC充放电电路组成。电容充电，越过比较点时，输出电平发生翻转，比较点也发生翻转，然后电容开始放电，等待再次越过比较点，以此循环往复，从而在输出端产生一个方波。产生方波的频率与电容充放电速度（RC电路的时间常数）以及比较点的高低有关。方波积分可以得到三角波，然后将反向积分后的三角波信号再次反向后接回比较器负端，以维持方波的产生。或者将三角波信号接回...[详细]
PIC单片机电子钟程序+仿真电路

#include pic.h #define uchar unsigned char #define uint unsigned int #define CS RA5 uchar secs = 0; uchar minutes = 0; uchar hours = 0; unsigned char disbuf = {1,2,3,4,5,6,7,8}; void delay_ms(uin...[详细]
激光雷达“众生相”：谁在应物变化，谁在寒冬发抖?

激光雷达作为自动驾驶系统的核心传感器，毋庸置疑。但实现Demo到量产的跨越，首先要解决车规级可靠性的问题，其次是低成本，最终还需要质量体系和交付能力的保障。自动驾驶未来的美好光景，也催生了过去几年一些初创公司的“激进”，以及由此带来的隐藏风险。在与Lyft合作开发自动驾驶技术两年后，近日麦格纳表示，这种合作关系即将结束。这家汽车零部件制造商计划专注于辅助驾驶产品，而不是全自动驾驶技术...[详细]
域控架构下，汽车连接器的挑战和变化

智能电动时代，随着ECU数量的增多，如何化繁为简，用几个甚至一个“大脑”来控制全车的ECU，成为汽车电子电气架构的变革方向，域控制器（DCU）应运而生，并成为近年车企以及供应商争相追捧的核心技术。不过，新技术的诞生和持续进阶也给相关产业链如芯片、连接器等带来了前所未有的变化和挑战，面对新的电子电气架构，如何布局和升级技术成为诸企业正在研究的新课题。近日，在盖世汽车举办的“2023第三届智能...[详细]
给初学8位单片机的一些建议

学前要求：（1）有一定的c语言基础，（2）最好还要有点数字电路知识前言：（1）只要你是电子系，或者是计算机系的学生。C语言都是你入手专业知识的最低门槛。所以请c语言基础不是很扎实的学生能专注点，踏踏实实地把c语言的基础知识都掌握了再入手单片机，不要急于求成，本人也尝过急于求成的苦瓜，那走过的弯路可要绕惠州学校好几圈。学c语言的时候，希望同学能重点关注一下数组，指针，还有结构体。能够弄...[详细]
利用8031单片机，设计跑马灯和流水灯

正常情形下使P1口八个发光二极管做流水灯显示。紧急情况下，使八个发光二极管做鸳鸯戏水显示。鸳鸯戏水就是一共是八个灯，一次亮四个，奇数灯和偶数灯分开亮。即：这次是1357灯亮，下次是2468灯亮。要求用汇编语言编制程序，多谢。问题补充：要求在外部扩展一个4KB的外部存储器。悬赏分：80 - 解决时间：2010-1-7 14:43 =================...[详细]
品牌厂商：用汽车电子关键技术武装自己

在74届中国电子展中。记者了解到，奇瑞在底盘电子化关键技术方面已经进行了较为成熟的应用，自主研发的ADC(主动悬挂阻尼控制系统)已经开始装车使用，代号为G6的新车首次应用此系统，预计将于明年初投放市场。同时，EPS(电动助力转向系统)将成为奇瑞B平台上所有车型的选配系统。据悉，在国家鼓励自主创新、支持拥有自主知识产权的核心技术和提升自主开发能力的产业政策引导下，面对汽车工业的快速发展...[详细]
三星跳电鼓励买方备货，第一季度DRAM合约价格提前上涨

据集邦咨询半导体研究中心最新调查，随着近一个月来DRAM现货价格持续走扬，加上2019年12月31号三星华城厂区发生跳电，虽然整体内存的供给并没有因此事件受到重大影响，但观察到各产品类别买方备货意愿进一步增强。因此，集邦咨询再次修正2020年第一季度DRAM合约价格预测，由原先的“大致持平”调整为“小涨”，价格正式提前翻转向上。标准型内存方面，虽然第一季的价格仍在议定中，但集邦咨询预估持...[详细]
三星就售后向中国消费者道歉

此次的三星事件，与今年315曝光苹果事件类似，只是三星这次快速反应，第三天立即道歉，而苹果则是一周后。不过，我们还是得思考同一个问题：假如没有权威媒体的穷追不舍，形成舆论攻势，企业就不会认错。要如何避免同样事件的反复出现呢？需要相关监管部门（而不仅是媒体）更加尊重消费者的权益，把消费者的权益放在首位。　　在过去的两天时间里，央视财经频道《经济半小时》栏目连续播出了三星部分型号手机，涉嫌设...[详细]
MSO9104A示波器不开机维修

检测过程拆机后发现，采集板缺螺丝，缺大散热片，采集板损坏导致不开机。检测后发现是采集通道单元损坏。维修过程检测后，工程师开始将采集板进行维修，调整仪器，拷机验证。维修结果仪器正常开机，主电源ok，烤机正常，完成修复。 ...[详细]
国内最大电动车充换电设施建成

　　国家电网公司3月2日披露智能电网建设成果：目前已建成并投运87座电动汽车标准化充换电站、5179台充电机和7031台交流充电桩，我国已成为全球电动汽车充电装置最多的国家。　　目前国内首个跨城际的杭州-金华电动汽车充换电网络已建成，电动汽车充换电只需要3-5分钟。下一步跨城区建设的重点将是长三角和珠三角地区。　　2011年国家电网公司还计划新建173座电动车充换电站和9211个充电...[详细]
云南彝良地震安防如何进行预警救援？

北京时间2012年9月7日11时19分云南省昭通市彝良县、贵州省毕节市威宁彝族回族苗族自治县交界发生5.7级地震，震源深度14公里。12时16分，彝良县再次发生5.6级地震，震源深度10公里。据中国民政部发布的灾情，截至9月9日10时统计，云南省彝良地震已造成81人死亡，其中彝良县79人，昭阳区2人。 9日晚间，云南省彝良9·07地震抗震救灾指挥部通报，此次地震共造成昭通市公...[详细]
浅谈非晶硅薄膜光伏电池成本构成图

薄膜光伏电池中最具发展潜力的是非晶硅薄膜光伏电池，非晶硅材料是由气相淀积形成的，目前已被普遍采用的方法是等离子增强型化学气相淀积(PECVD)法。此种制作工艺可以连续在多个真空淀积室完成，从而实现大批量生产。由于反应温度低，可在200℃左右的温度下制造，因此可以在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上淀积薄膜，易于大面积化生产，成本较低。与晶体硅光伏电池比较，非晶硅薄膜光伏电池具有弱光响应好，...[详细]
汽车电子互联的兴起将如何影响汽车制造业的未来

要为智能工厂定义一个经得起未来考验的基础架构，我们必须从了解汽车制造业的未来开始。未来的汽车及其生态系统和生命周期将定义其基础设施需求。近年来，汽车电子含量的急剧增长正推动汽车行业发生重大变革。虽然高级驾驶辅助系统和自动驾驶（ADAS/AD）开发一直是一个主要焦点，但随主机厂寻求更环保的内燃机替代品，车辆动力传动系统的电气化变得非常重要。与此同时，车辆网联、5G可用性都出现了前所未有的增长...[详细]
单相变频器输出三相220v怎么接三相电机

单相变频器输出三相220V接三相电机的方法如下：确定变频器的输入电源和输出电压首先，需要确认变频器的输入电源是单相220V，输出电压是三相220V。这是实现单相变频器输出三相220V接三相电机的前提条件。选择合适的变频器根据三相电机的功率、额定电压、额定电流等参数，选择合适的单相变频器。变频器的额定输出功率应大于或等于三相电机的功率，以确保变频器能够满足电机的运行需求。连接变频器...[详细]