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RG4CWS

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon,

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：SANKEN

厂商官网：http://www.sanken-ele.co.jp/en/

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SANKEN
包装说明
O-PALF-W2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
应用
ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码
O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流
60 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-40 °C
最大输出电流
2 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
认证状态
Not Qualified
最大反向恢复时间
0.1 µs
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
文档预览
Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Type No.
V
RM
(V)
I
F (AV)
(A)
( ) is with
Heatsink
I
FSM
(A)
50Hz
Half-cycle Sinewave
Single Shot
Tj
(°C)
Tstg
(°C)
V
F
(V)
max
I
F
(A)
I
R
(mA)
V
R
= V
RM
V
R
= V
RM
Ta =100°C max
max
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
t
rr

t
rr
Œ
I
R
(H)
(ns)
(ns)
(mA)
I
F
/
I
RP
(mA)
I
F
/
I
RP
(mA)
Others
Rth (j- )
(°C/ W)
Mass
Fig.
(g)
RG 4Y
RG 4Z
RG 4
RG 4A
RG 4C
70
200
2.0 (3.5)
100
1.3
1.7
3.5
1.0
5.0
100/100
100
0.5
2.0
2.5
500/500
500/1000
50
100/200
8
1.2
A
1.0 (3.0)
400
600
1.0 (2.0)
1000
80
–40 to +150
50
60
1.8
2.0
3.0
3.0
RG 4Y
I
F(AV)
(A)
I
FSM
(A)
20•20•1t Cu
I
FSM
(A)
5
Ta—I
F(AV)
Derating
V
F
—I
F
Characteristics
(Typical)
20
10
Forward Current I
F
(A)
100
I
FMS
Rating
4
5mm
5mm
80
20ms
Average Forward Current
1
Peak Forward Surge Current
3
W
W
60
2
ith
ou
0.1
tH
ea
ts
ink
1
0.01
T
a
= 150ºC
100ºC
60ºC
25ºC
ith
He
at
sin
k
40
20
0
0
25
50 60 75
100 125
Ambient Temperature Ta (°C)
150
0.001
0.1 0.3 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 1.7
Forward Voltage V
F
(V)
0
1
5
10
Overcurrent Cycles
50
RG 4Z, RG 4, RG 4A
I
F(AV)
(A)
10
Forward Current I
F
(A)
70
60
50
40
30
20
10
I
FSM
(A)
20•20•1 t Cu
I
FSM
(A)
5
Ta—I
F(AV)
Derating
V
F
—I
F
Characteristics
(Typical)
30
80
I
FMS
Rating
4
20ms
5mm
5mm
Average Forward Current
1
Peak Forward Surge Current
RG 4Z, RG 4
3
W
ith
RG 4Z, RG 4
RG 4A
0.1
2
He
at
sin
k
Hea
T
a
= 150ºC
100ºC
60ºC
25ºC
1
0.01
RG 4A
With
0
out
0
tsin
k
25
50 60 75
100 125
Ambient Temperature Ta (°C)
150
0.001
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
Forward Voltage V
F
(V)
2.2
0
1
5
10
Overcurrent Cycles
50
RG 4C
2.0
I
F(AV)
(A)
Ta—I
F(AV)
Derating
20•20•1t Cu
V
F
—I
F
Characteristics
(Typical)
6
I
FSM
(A)
60
50
40
30
20
10
I
FMS
Rating
I
FSM
(A)
Forward Current I
F
(A)
1.6
5mm
5mm
1
T
a
= 25ºC
20ms
1.2
0.1
0.8
0.01
0.4
0
0
25 40 50
75
100 125
Ambient Temperature Ta (°C)
150
0.001
0.4
Peak Forward Surge Current
Average Forward Current
0.8
1.2
1.6 2.0 2.4
Forward Voltage V
F
(V)
2.8
0
1
5
10
Overcurrent Cycles
50
External Dimensions
(Unit: mm)
Flammability:
UL94V-0 or Equivalent
Fig.
A
1.4
±0.1
Cathode Mark
50.0
±1.0
8.0
±0.2
6.5
±0.2
47
查看更多>
参数对比
与RG4CWS相近的元器件有：RG4ZWK、RG4ZWS、RG4YWS、RG4YWK、RG4WS、RG4WK、RG4AWK、RG4AWS、RG4CWK。描述及对比如下：
型号 RG4CWS RG4ZWK RG4ZWS RG4YWS RG4YWK RG4WS RG4WK RG4AWK RG4AWS RG4CWK
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon,
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
应用 ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 60 A 80 A 80 A 100 A 100 A 80 A 80 A 50 A 50 A 60 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
最大输出电流 2 A 3 A 3 A 3.5 A 3.5 A 3 A 3 A 2 A 2 A 2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大反向恢复时间 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
Base Number Matches - 1 1 1 1 1 1 - - -
热门器件
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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