首页 > 器件类别 > 半导体 > 分立半导体

RGP25G

2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:DACHANG

厂商官网:http://www.dachang.com.cn

下载文档
文档预览
SIYU
R
塑封快恢复整流二极管
反向电压
50 ---1000 V
正向电流
2.5 A
DO-15L
RGP25A ...... RGP25MT
Plastic Fast Recover Rectifiers
Reverse Voltage 50 to 1000V
Forward Current 2.5A
特征
Features
·反向漏电流½
Low reverse leakage
High forward surge capability
·正向浪涌承受½力较强
25.4
0.8±0.1
MIN
7.5±0.2
4.0±0.2
25.4
·高温焊接保证
High temperature soldering guaranteed:
260℃/10
秒,
0.375" (9.5mm)引线长度。
260℃/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,
·引线可承受5 磅
(2.3kg)
拉力。
5 lbs. (2.3kg) tension
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
Lead and body according with RoHS standard
MIN
机械数据
Mechanical Data
Unit:mm
·端子: 镀锡½向引线
Terminals: Plated axial leads
·极性: 色环端为负极
Polarity: Color band denotes cathode end
·安装½½: 任意
Mounting Position: Any
极限值和温度特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
符号
Symbols
最大可重复峰值反向电压
Maximum repetitive peak reverse voltage
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
RGP
25B
RGP
25D
RGP
25G
RGP
25J
RGP
25K
RGP
25M
RGP
25MT
RGP
25A
单½
Unit
V
V
V
A
A
℃/W
V
RRM
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2.5
125
15
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
1000
700
1000
最大均方根电压
Maximum RMS voltage
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
R
θJA
Tj, TSTG
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
最大正向平均整流电流
Maximum average forward rectified current
峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
典型热阻
Typical thermal resistance
工½结温和存储温度
Operating junction and storage temperature range
-55 --- +150
电特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
符号
Symbols
最大正向电压
Maximum forward voltage
RGP
25A
RGP
25B
RGP
25D
RGP
25G
RGP
25J
RGP
25K
RGP
25M
RGP
25MT
单½
Unit
V
μA
I
F
= 2.5A
TA= 25℃
TA=100℃
I
F
=0.5A I
R
=1.0A I
RR
=0.25A
V
F
I
R
trr
C
j
150
1.3
5.0
200
最大反向电流
Maximum reverse current
最大反向恢复时间
MAX. Reverse Recovery Time
250
50
300
250
nS
典型结电容
Type junction capacitance
V
R
= 4.0V, f = 1MHz
pF
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS
SIYU
R
特性曲线
Characteristic Curves
正向特性曲线(典型值)
TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
RGP25A ...... RGP25MT
正向电流降额曲线
FORWARD CURRENT DERATING CURVE
10
平均正向电流
I
F(AV)
(A)
Average Forward Rectified Current (A)
I
F
Instantaneous Forward Current (A)
3.5
10mm
10mm
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
25
50
75 100 125 150 175
环境温度 Ta(°C)
Tamb, ambient temperature (°C)
2
1
正向电流
I
F
(A)
0.2
Tj = 25 °C
0.1
0.01
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
正向电压 V
F
(V)
V
F
Instantaneous Forward Voltage (V)
浪涌特性曲线(最大值)
MAXIMUM NON REPETITIVE
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
125
I
FSM
Peak Forward Surge Current (A)
100
峰值正向浪涌电流 I
FSM
(A)
75
50
25
0
1
2
4 6 10
20
40
100
通过电流的周期
Number of Cycles at 60 Hz.
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS
I
F(A)
查看更多>
参数对比
与RGP25G相近的元器件有:RGP25D、RGP25J、RGP25M、RGP25MT、RGP25A、RGP25A_15、RGP25B、RGP25K。描述及对比如下:
型号 RGP25G RGP25D RGP25J RGP25M RGP25MT RGP25A RGP25A_15 RGP25B RGP25K
描述 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 2.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 2.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 2.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 2.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 2.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
需要登录后才可以下载。
登录取消