S6A15HEA,S6A15HEA pdf中文资料,S6A15HEA引脚图,S6A15HEA电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与S6A15HEA相近的元器件有：S6A100FR、S6A100FRA、S6A60FR、S6A60FRA、S6A60FRB、S6A15HEB、S6A100FRB、S6A15HE。描述及对比如下：

型号	S6A15HEA	S6A100FR	S6A100FRA	S6A60FR	S6A60FRA	S6A60FRB	S6A15HEB	S6A100FRB	S6A15HE
描述	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 7.5A, 150V V(RRM), Silicon,	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 5A, 1000V V(RRM), Silicon,	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 5A, 1000V V(RRM), Silicon,	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 5A, 600V V(RRM), Silicon,	Bridge Rectifier Diode, 5A, 600V V(RRM),	Bridge Rectifier Diode, 5A, 600V V(RRM),	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 7.5A, 150V V(RRM), Silicon,	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 5A, 1000V V(RRM), Silicon,	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 7.5A, 150V V(RRM), Silicon,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	compli	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.2 V	1.7 V	1.2 V
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	1	1	1	1
元件数量	4	4	4	4	4	4	4	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最大输出电流	7.5 A	5 A	5 A	5 A	5 A	5 A	7.5 A	5 A	7.5 A
最大重复峰值反向电压	150 V	1000 V	1000 V	600 V	600 V	600 V	150 V	1000 V	150 V
最大反向恢复时间	0.03 µs	0.15 µs	0.15 µs	0.15 µs	0.15 µs	0.15 µs	0.03 µs	0.15 µs	0.03 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	-	-	含铅	含铅	含铅
包装说明	S-XUFM-X4	S-XUFM-X4	S-XUFM-X4	S-CUFM-X4	-	-	S-XUFM-X4	S-XUFM-X4	S-XUFM-X4
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	-	SILICON	SILICON	SILICON
JESD-30 代码	S-XUFM-X4	S-XUFM-X4	S-XUFM-X4	S-CUFM-X4	-	-	S-XUFM-X4	S-XUFM-X4	S-XUFM-X4
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	-	-	-	e0
最大非重复峰值正向电流	60 A	25 A	25 A	25 A	-	-	60 A	25 A	60 A
相数	1	1	1	1	-	-	1	1	1
端子数量	4	4	4	4	-	-	4	4	4
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	-	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	-	-	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-	-	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	-	-	UPPER	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	-	-	-

S3C2440A的LCD控制寄存器TCONSEL中第0位和第4位对应的LPC3600和LCC3600指的什么？: 对于这两个位，有些代码修改了它的值，我不太清楚，不知道如何修改。在网上查了一下，有些人说和“LCD伴...; ysbqw 嵌入式系统

4号结婚，在此祝所有eeworldER永远幸福！: 10月四号就要步入婚礼的殿堂了，回想几年前在eeworld上乱撞时众位前辈给我的解答还是万分感激，发...; jin5168 嵌入式系统

RFID之使用频率现况: 为避免各国无线电频率使用标准不一，造成使用上的混乱与困扰，国际上大多遵守国际电信联合会（ITU...; tmily RF/无线

关于pic数据定义问题: 我在mplab x ide中定义bit数据类型出现编译错误，编译器是xc16；具体表现如下求...; 做自己的高工 Microchip MCU

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big.LITTLE解决方案：八核同时启动

三星的异构多处理器(HMP)Exynos 5 Octa由于无法同时使用其8个核心，而一直被我们称为“伪八核”处理器。据报道称，如今三星正致力于研究采用ARM的big.LITTLE解决方案，使Exynos 5 Octa移动处理器得以同时发挥其8个核心的功效。据悉，这种方案可以使CPU在不切换核心的情况下自动利用4颗A15核心处理更加密集型的工作，而使用4颗A7核心来处理次优先级的任务，这将大...[详细]
具有HART接口的完整4mA至20mA环路供电现场仪器

　　电路功能与优势　　图1所示电路是一款完整的智能工业环路供电现场仪器，提供 4 mA至20 mA模拟输出和可寻址远程传感器高速通道（HART®）接口。HART是一种数字双向通信，可在4 mA至20 mA模拟电流信号之上调制一个1 mA峰峰值频移键控（FSK）信号。它可实现众多功能，例如远程校准、故障查询和过程变量传输；这些功能在诸如温度和压力控制等应用中是必须的。　　该电路已通过...[详细]
8月座舱域控装配量同比增119%，黑莓为舱驾一体提供基础软件支持

佐思汽研《汽车座舱电子月度监测和分析报告（2023年第9期）》，每月发布一期，紧密跟踪智能座舱领域的最新市场数据、分析把握相关行业、公司、产品、技术的发展动向和趋势。 2023年1-8月，中国乘用车新车市场中，液晶仪表装配量为1039.0万台，与2022年同期相比增长了16.1%；中控屏装配量为1185.4万台，同比增长6.8%。2023年8月，中国乘用车L1以上座舱等级车型（指可联网且中控...[详细]
基于FPGA分布式算法的低通FIR滤波器的设计与实现

0 引言传统数字滤波器硬件的实现主要采用专用集成电路(ASIC)和数字信号处理器(DSP)来实现。FPGA内部的功能块中采用了SRAM的查找表(lo-ok up table，LUT)结构，这种结构特别适用于并行处理结构，相对于传统方法来说，其并行度和扩展性都很好，它逐渐成为构造可编程高性能算法结构的新选择。分布式算法是一种适合FPGA设计的乘加运算，由于FPGA中硬件乘法器资源有限，直接应运...[详细]
vivo X60t登场：换芯天玑1100，线下特供

近期 vivo 悄然推出了 X60 系列的又一款新机 vivo X60t，新机的主要变化是将处理器从 Exynos 1080 换成了天玑 1100，并且似乎只在线下销售，相应的产品在 vivo 自己的官方商城没有上架。　　除了处理器不同，vivo X60t 跟 vivo X60 其它方面保持一致，采用 X 系列标志性的双色云阶设计，镜组部分带有蔡司小蓝标，正面配备 6.56 英寸 A...[详细]
STC12C5A60S2各模块的应用分享大家

/*****************串口应用 ******************/ ///////////////////串口一////////////// #include 12c5a60s2.h #include uart.h unsigned char buf ,g; void initUart() { EA=1; BRT=0XFD; //独立波特...[详细]
英特尔虎视眈眈博通将迁址时间缩短一个月

新浪美股北京时间12日华尔街日报消息，博通（Broadcom）公司周一表示，预计总部从新加坡迁往美国的时间比原计划早约1个月。此举将加快扫清对美国高通公司敌意收购交易的一个主要障碍。　　博通表示，目前预计在4月3日之前完成搬迁，之前计划是5月6日。　　近日有消息称，英特尔公司可能会干扰博通对高通的收购，对博通发出收购要约。因博通与高通合并将对英特尔构成严重威胁。　　除总部搬迁之外，...[详细]
南亚科工程师窃密面试紫光未录取,在台被起诉

电子网消息，南亚科技公司资深工程师李智存（46岁），知悉南亚科技公司之20纳米晶圆制程技术，为前往西安紫光国芯半导体任职，想谋得台湾三到五倍高薪，去年12月间，他利用参加线上训练课程与假日等时机，在南亚科技公司办公室，以个人计算机登入账号、密码，意图复制，因遭限制存取而未成功，他改采屏幕截图方式，再将20纳米晶圆所有制程复制打印，研读熟记。今年1月17日，李智存前往西安紫光公司面试，因他并不熟...[详细]
下一代晶体管有什么不同

经过近十年和五个主要节点以及大量半节点之后，半导体制造业将开始从 finFET 过渡到 3nm 技术节点的全栅堆叠纳米片晶体管架构。相对于 finFET，纳米片晶体管通过在相同电路占位面积中增加沟道宽度来提供更多驱动电流。环栅设计改善了通道控制并最大限度地减少了短通道效应。图 1：在纳米片晶体管中，栅极在所有侧面（栅极四周）与沟道接触，并且多个片可实现比 finFET 更高的驱动电流...[详细]
台积电再度起诉中芯国际芯片巨头再打司法战

　　北京时间8月28日消息，据路透社报道，台积电周一宣布，已正式在美国起诉中芯国际侵犯知识产权。台积电与中芯国际分别是全球及中国内地最大芯片代工商。　　根据台积电向台湾股票交易所提交的声明，该公司以“侵犯商业机密”为由将中芯国际告上美国法院。　　这是继台积电第二次以相同理由起诉中芯国际，双方去年初刚刚就上一次起诉达成和解，中芯国际同意在六年内向台积电支付1.75亿美元。　　台积电在声...[详细]
详解IGBT系统

IGBT ，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应)，又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用)，频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内。理想等效电路与实际等效电路如图所示： IGBT 的静态特性一般用不到，暂...[详细]
Leadis的OLED显示驱动IC可延长显示器和电池寿命

Leadis Technology公司近日宣布其低功耗单片局部彩色OLED显示驱动IC LDS518已投入批量生产。 LDS518是一款集成了控制器的高性能器件，含有板上16Kb显示RAM和片上晶振，无需外部元件即可实现帧频调节。该器件支持可编程显示功能，如分割区域显示，提供两种屏保模式，可延长OLED显示器的寿命和移动设备电池寿命。 LDS518支持的最大显示分辨率为128×64和...[详细]
苹果、Intel与三星为何怒对高通专利费用和垄断

5月8日消息高通与苹果之间的专利费用纠纷不断升级，此次事件不断发酵，双方各执一词似乎没有妥协退让的意思。苹果已经拒绝向高通支付专利费用，而高通也同样为表示不满，计划设法阻止美国本土进口iPhone，从而提高iPhone在美国市场的成本，向苹果方面反击施压。库克公开表达了对高通收取专利特权使用费用的不满，并举例称，“高通坚持对苹果一些与其专利不相关的技术征收费用，就像是沙发卖家会因为买家居...[详细]
传苹果想入股，GIS结盟全球触控龙头

　　据台湾媒体报道， GIS 拟与日本写真策略结盟，双方携手进军iPhone的薄膜触控传感器市场， GIS 已经拿下iPhone 8的3D Touch贴合订单，明年若进一步往上游整合iPhone的触控传感器与贴合订单，将导致明年营收与获利暴冲。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。　　针对是否与日本写真合组新公司，携手结盟一事， GIS 董事长暨总经理周贤颖昨日表示，不排除任何可能...[详细]
2007年06月-12月电子展会信息集锦

06月展会名称　　　　　　　　　　　　　　　开始　　　　结束　　　地点 2007中国电子元器件（苏州）展览会　　06/27 　　　 06/29 　　江苏/苏州 2007俄罗斯国际电力电子展览会　　　　06/05 　　　 06/09 　　俄罗斯/莫斯科 2007年慕尼黑国际应用激光博览会　　　06/18　　　　06/21 　　德国/慕尼黑 2007第15届国际电子元器件展览会　　 06/1...[详细]