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SE532N

IC DUAL OP-AMP, 7000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8, Operational Amplifier

器件类别：模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称：NXP(恩智浦)

厂商官网：https://www.nxp.com

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
NXP(恩智浦)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP8,.3
针数
8
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
架构
VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)
0.3 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)
0.15 µA
标称共模抑制比
85 dB
频率补偿
YES
最大输入失调电压
7000 µV
JESD-30 代码
R-PDIP-T8
JESD-609代码
e0
低-失调
NO
负供电电压上限
-16 V
功能数量
2
端子数量
8
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
包装方法
TUBE
电源
5/30 V
认证状态
Not Qualified
标称压摆率
0.3 V/us
最大压摆率
1.2 mA
供电电压上限
16 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
BIPOLAR
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
标称均一增益带宽
1000 kHz
最小电压增益
25000
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参数对比
与SE532N相近的元器件有：SA532N、NE532N、NE532AT、SE532AN、SA532T、NE532T、NE532AN。描述及对比如下：
型号 SE532N SA532N NE532N NE532AT SE532AN SA532T NE532T NE532AN
描述 IC DUAL OP-AMP, 7000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 9000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, SOT-97-1, DIP-8, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 9000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, MBCY8, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, PDIP8, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 7500 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, MBCY8, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 7500 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, MBCY8, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, PDIP8, Operational Amplifier
零件包装代码 DIP DIP DIP BCY DIP BCY BCY DIP
针数 8 8 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB) 0.3 µA 0.5 µA 0.5 µA 0.2 µA 0.1 µA 0.5 µA 0.5 µA 0.2 µA
标称共模抑制比 85 dB 70 dB 70 dB 85 dB 85 dB 70 dB 85 dB 85 dB
最大输入失调电压 7000 µV 7500 µV 7500 µV 5000 µV 4000 µV 7500 µV 7500 µV 5000 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 O-MBCY-W8 R-PDIP-T8 O-MBCY-W8 O-MBCY-W8 R-PDIP-T8
功能数量 2 2 2 2 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8 8 8 8 8
最高工作温度 125 °C 85 °C 70 °C 70 °C 125 °C 85 °C 70 °C 70 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY METAL PLASTIC/EPOXY METAL METAL PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR ROUND RECTANGULAR ROUND ROUND RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE CYLINDRICAL IN-LINE CYLINDRICAL CYLINDRICAL IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 15 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE WIRE THROUGH-HOLE WIRE WIRE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL BOTTOM DUAL BOTTOM BOTTOM DUAL
标称均一增益带宽 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz
厂商名称 NXP(恩智浦) - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
负供电电压上限 -16 V -16 V -16 V -16 V -16 V -16 V - -16 V
供电电压上限 16 V 16 V 16 V 16 V 16 V 16 V - 16 V
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