SKR130/08,SKR130/08 pdf中文资料,SKR130/08引脚图,SKR130/08电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与SKR130/08相近的元器件有：SKN130、SKN130/04、SKN130/08、SKR130/16、SKR130/12、SKR130/14、SKR130/04、SKN130/16、SKN130/14。描述及对比如下：

型号	SKR130/08	SKN130	SKN130/04	SKN130/08	SKR130/16	SKR130/12	SKR130/14	SKR130/04	SKN130/16	SKN130/14
描述	165 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC	165 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC	165 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC	165 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC	165 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC	165 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC	165 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC	165 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC	165 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC	165 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC
应用	POWER	POWER	POWER	POWER	POWER	POWER	POWER	POWER	POWER	POWER
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大非重复峰值正向电流	2000 A	2000 A	2000 A	2000 A	2000 A	2000 A	2000 A	2000 A	2000 A	2000 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
相数	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
最大重复峰值反向电压	800 V	1200 V	400 V	800 V	1600 V	1200 V	1400 V	400 V	1600 V	1400 V
端子形式	HIGH CURRENT CABLE	HIGH CURRENT CABLE	HIGH CURRENT CABLE	HIGH CURRENT CABLE	HIGH CURRENT CABLE	HIGH CURRENT CABLE	HIGH CURRENT CABLE	HIGH CURRENT CABLE	HIGH CURRENT CABLE	HIGH CURRENT CABLE
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER
是否无铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	DO-205	-	DO-205	DO-205	DO-205	DO-205	DO-205	DO-205	DO-205	DO-205
包装说明	O-MUPM-H1	-	O-MUPM-H1	HERMETIC SEALED, METAL, CASE E14, 1 PIN	HERMETIC SEALED, METAL, CASE E14, 1 PIN	HERMETIC SEALED, METAL, CASE E14, 1 PIN	HERMETIC SEALED, METAL, CASE E14, 1 PIN	HERMETIC SEALED, METAL, CASE E14, 1 PIN	HERMETIC SEALED, METAL, CASE E14, 1 PIN	HERMETIC SEALED, METAL, CASE E14, 1 PIN
针数	1	-	1	1	1	1	1	1	1	1
制造商包装代码	CASE E14	-	CASE E14	CASE E14	CASE E14	CASE E14	CASE E14	CASE E14	CASE E14	CASE E14
Reach Compliance Code	compliant	-	compli	compli	compli	compli	compliant	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	FREE WHEELING DIODE	-	FREE WHEELING DIODE	FREE WHEELING DIODE	FREE WHEELING DIODE	FREE WHEELING DIODE	FREE WHEELING DIODE	FREE WHEELING DIODE	FREE WHEELING DIODE	FREE WHEELING DIODE
外壳连接	CATHODE	-	ANODE	ANODE	CATHODE	CATHODE	CATHODE	CATHODE	ANODE	ANODE
配置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最大正向电压 (VF)	1.5 V	-	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	0.8 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
JEDEC-95代码	DO-205AC	-	DO-205AC	DO-205AC	DO-205AC	DO-205AC	DO-205AC	DO-205AC	DO-205AC	DO-205AC
JESD-30 代码	O-MUPM-H1	-	O-MUPM-H1	O-MUPM-H1	O-MUPM-H1	O-MUPM-H1	O-MUPM-H1	O-MUPM-H1	O-MUPM-H1	O-MUPM-H1
JESD-609代码	e2	-	e2	e2	e2	e2	e2	e2	e2	e2
最高工作温度	180 °C	-	180 °C	180 °C	180 °C	180 °C	180 °C	180 °C	180 °C	180 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
最大输出电流	165 A	-	165 A	165 A	165 A	165 A	165 A	165 A	165 A	165 A
封装主体材料	METAL	-	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	-	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT	-	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大反向电流	1000 µA	-	1000 µA	1000 µA	1000 µA	1000 µA	-	1000 µA	1000 µA	-
表面贴装	NO	-	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Silver (Sn/Ag)	-	Tin/Silver (Sn/Ag)	Tin/Silver (Sn/Ag)	Tin/Silver (Sn/Ag)	Tin/Silver (Sn/Ag)	Tin/Silver (Sn/Ag)	Tin/Silver (Sn/Ag)	Tin/Silver (Sn/Ag)	Tin/Silver (Sn/Ag)
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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第16章 STM32中断应用概览—零死角玩转STM32-F429系列

本章参考资料《STM32F4xx 中文参考手册》第十章-中断和事件、《 ARM Cortex™-M4F 技术参考手册》-4.3 章节：NVIC和4.4章节：SCB—4.4.5的AIRCR。 STM32中断非常强大，每个外设都可以产生中断，所以中断的讲解放在哪一个外设里面去讲都不合适，这里单独抽出一章来做一个总结性的介绍，这样在其他章节涉及到中断部分的知识我们就不用费很大的篇幅去讲解，只要示意...[详细]
梁孟松上任联席CEO,中芯国际股价上涨

集微网消息，中芯国际周一收市后宣布委任梁孟松博士为联合首席执行官。交银国际表示，由于近月此事已获媒体报导，认为此委任在一定程度上已为市场所预期。梁博士是世界知名的半导体处理和研发专家。因此认为消息对公司前景利好。在晶圆代工行业，经营、研发和产能规划是成功的三大支柱。交银国际又认为，梁博士的专业技能能够与赵博士的经营知识相辅相成。然而，短期而言，预期中芯国际2017年3季度业绩仅符合指引，并预期...[详细]
心脏病患者福音这款手套可充当心电图仪器

医疗领域的创业公司，通常会寻求一种颠覆性手段来提供可以挽救病人生命的解决方案，避免后者遭受肉体疼痛。2010年，一家名为IneedMD的创业团队开始开发一种智能手套，它能够充当一种廉价、易用的心电图仪器，通过一款平板电脑来监测用户心脏活动，并对心跳数据作分析和记录。在通常情况下，医生会在紧急情况下使用心电图来观察病人的心跳，但是这种方法提供的数据有限。在一家医院或者实验...[详细]
HTC旗舰手机突然爆炸严重伤人官方沉默

腾讯科技讯 7月5日消息，据外媒报道，智能手机爆炸近来成为用户最大的担忧之一。在三星Galaxy Note 7发生起火爆炸事件以来，大多数智能手机品牌都非常小心地确保电池或其他零部件安全，以免重蹈三星覆辙。然而，HTC看起来似乎依然不太小心。 Facebook印度用户妮德希·卡普尔（Nidhi Kapoor）日前分享了HTC Desire 10 Pro手机爆炸的恐怖经历，并且上传图片作...[详细]
晶湛半导体完成B+轮数亿元战略融资，由歌尔微电子领投

3月1日，苏州晶湛半导体有限公司（简称“晶湛半导体”）宣布完成B+轮数亿元战略融资。由歌尔微电子（歌尔股份控股子公司）领投，高瓴创投、惠友资本、创新工场、禾创致远、共青城军合、无限基金、三七互娱、中信证券等跟投，老股东元禾控股、湖杉资本等继续加码。本轮融资将主要用于晶湛半导体总部和研发中心建设。苏州晶湛半导体有限公司消息显示，晶湛半导体由程凯博士于2012年3月创办，致力于为电力电子、射频电...[详细]
高范围高压可调直流稳压电源电路

本电路适用于二极管、三极管极限电压、氖泡、日光灯起辉电压及电容器工作电压、电流等测定的可调稳压电源,电路可以在3-2000V之间可调。电路如图所示。由IC2（ NE555 ）及其外围元件组成方波发生器，方波频率为20KHz。方波信号由IC2的③脚输出经功放管VT放大后输出到脉冲变压器T的初级L1，再由变压器耦合到次级L2经二极管VD2整流，给C3充电，C3两端的直流电压峰值最高可...[详细]
RIOS Intelligent Machines完成1300万美元融资，亚马哈领投！

以人工智能和机器视觉为核心技术的智能机器人系统，正在颠覆传统的制造业格局，工业4.0 时代的曙光已然来临。在这场科技浪潮中，RIOS Intelligent Machines凭借创新的自动化解决方案，成功引来资本市场的青睐。近日，RIOS Intelligent Machines宣布已筹集1300万美元（约合人民币9351万元）B轮融资，由Yamaha Motor Corp和IAG ...[详细]
2017年之后我们才能进入4G时代

　　很长一段时间我们都在传这样一个信息，今年10月4G标准会被批准，我们进面向一个4G时代，经常有媒体会发出这样的疑问，既然4G已经来了，我们会不会跨过3G直接进入4G? 　　近日，一方面我们知道在重庆国际电信联盟在审议4G标准，但是我们同时也听到消息，这个标准要被正式批准，其实要到2012年。　　就这个问题，我给国际电信联盟副秘书长赵厚麟先生发了邮件，赵先生回复邮件介绍：根据电联专家组早...[详细]
人工智能计算量大怎么办？这种全新计算模式即将淘汰云计

一架波音787每秒就会产生5GB的数据；一辆自动驾驶的汽车每秒会产生1GB的数据，并且它还要求对这些数据进行实时处理；2020年，全球大约将会产生500亿的物联网设备；2016年数据显示摄像头部署数量已经超过了人眼数量，每天收集数百亿张人脸图像；IDC发布的相关预测，到2019年，40%的数据需要在网络边缘侧分析、处理与储存，到2025年，物联网将产生95%的实时数据。海量数据中，由于商...[详细]
一种无电解电容LED驱动方案中输出功率的测量

　　 LED 灯珠作为一个半导体器件，其寿命长达50，000小时以上。而 LED照明驱动方案中普遍用到电解电容，其寿命则仅为5，000~10，000小时。这样电解电容的短寿命与 LED灯珠的长寿命之间有一个巨大的差距，削弱了LED的优势。因而无电解电容 LED驱动解决方案受到市场青睐。　　美芯晟科技推出了基于MT7920的无电解电容LED驱动解决方案（见图1）。在该方案...[详细]
芯导科技技术沉淀发明双向TVS器件的制备方案

11月12日，芯导科技发布科创板上市招股意向书、上市发行安排及初步询价公告，预计近期将正式登陆科创板上市。其在TVS、MOSFET、肖特基等功率器件方面具有较强的技术积累，同时拥有良好的市场口碑。 TVS器件，可理解为瞬态二极管，这是一种二极管形式的高效能保护器件。TVS器件能在极短时间内承受反向电压冲击，使两极间的电压钳位于一个特定电压上，避免后面的电路受到冲击。其中，双向TVS器件可在正反两...[详细]
王越院士：不是为了参加竞赛而竞赛的，拥有一颗平常心

电子工程世界网讯 2007-12-11 提及近些年参赛大学生素质方面的变化，王越院士指出，现在一个很好的表现就是竞赛不完全被看作竞标得奖，而是让竞赛培育实验条件，将教师辅导学生纳入到教学的环境和日常工作中去。当然，各种违规的现象，虽然是少数，但恐怕还是存在的。比如有的地区延长交卷时间，或者投诉教师在竞赛期间过分参与等，但是我们一定会按正常的方向推进。当然，要依靠教育主管部门、学校、赛区和专...[详细]
DRAM占据智能机BoM成本比例可望回升

市场研究机构 IHS iSuppli 的最新报告指出，虽然智慧型手机产品内的 DRAM 容量有增加趋势，但DRAM在智慧型手机物料清单( BoM )内所占据的平均比重，却因价格下跌而在过去一年来减少了约五成。根据IHS iSuppli 所进行的拆解分析，2012年第一季DRAM在智慧型手机BoM内占据的平均比重减少至6.3...[详细]
机器人足球赛上演人机“互搏”

据环球网报道，2019亚太机器人世界杯天津国际邀请赛的总决赛近日在天津空港体育中心举行，103支代表队、446名参赛选手在6大赛项、13个分赛项中共决出14支冠军队伍、10支亚军队伍和10支季军队伍。中型机器人足球赛是机器人世界杯的主要项目之一，每支参赛队的机器人数量不超过5台，单个机器人重量不超过40公斤。记者在现场看到，机器人可以根据场上不同情况自主进行传球、射门、跑位等动作，也可以打出简...[详细]
智能密集架控制系统有哪些

智能密集架控制系统是一种高度自动化的存储设备，广泛应用于图书馆、档案馆、仓库等场所。它通过计算机技术、网络技术、传感器技术等多种技术手段，实现对密集架的智能化控制和管理。一、智能密集架控制系统概述 1.1 智能密集架控制系统定义智能密集架控制系统是一种集成了多种先进技术的自动化存储设备，它能够实现对密集架的自动控制、监控和管理，提高存储效率，降低人工成本，保障存储安全。 1.2 智能密集...[详细]