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SKT513F11DT

Silicon Controlled Rectifier, 1300A I(T)RMS, 510000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element, TO-200AC,

器件类别:模拟混合信号IC    触发装置   

厂商名称:SEMIKRON

厂商官网:http://www.semikron.com

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器件参数
参数名称
属性值
包装说明
DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
FAST
标称电路换相断开时间
20 µs
配置
SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率
500 V/us
最大直流栅极触发电流
250 mA
最大直流栅极触发电压
4 V
最大维持电流
400 mA
JEDEC-95代码
TO-200AC
JESD-30 代码
O-CEDB-N2
最大漏电流
100 mA
通态非重复峰值电流
11000 A
元件数量
1
端子数量
2
最大通态电流
510000 A
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
ROUND
封装形式
DISK BUTTON
认证状态
Not Qualified
最大均方根通态电流
1300 A
重复峰值关态漏电流最大值
100000 µA
断态重复峰值电压
1100 V
重复峰值反向电压
1100 V
表面贴装
YES
端子形式
NO LEAD
端子位置
END
触发设备类型
SCR
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参数对比
与SKT513F11DT相近的元器件有:SKT593F10DS、SKT593F11DS、SKT593F08DS、SKT593F09DS、SKT513F14DV、SKT513F09DT。描述及对比如下:
型号 SKT513F11DT SKT593F10DS SKT593F11DS SKT593F08DS SKT593F09DS SKT513F14DV SKT513F09DT
描述 Silicon Controlled Rectifier, 1300A I(T)RMS, 510000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element, TO-200AC, Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 590000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AC, Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 590000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element, TO-200AC, Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 590000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-200AC Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 590000mA I(T), 900V V(DRM), 900V V(RRM), 1 Element, TO-200AC Silicon Controlled Rectifier, 1300A I(T)RMS, 510000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-200AC Silicon Controlled Rectifier, 1300A I(T)RMS, 510000mA I(T), 900V V(DRM), 900V V(RRM), 1 Element, TO-200AC,
包装说明 DISK BUTTON, O-CEDB-N2 DISK BUTTON, O-CEDB-N2 DISK BUTTON, O-CEDB-N2 DISK BUTTON, O-CEDB-N2 DISK BUTTON, O-CEDB-N2 DISK BUTTON, O-CEDB-N2 DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
其他特性 FAST FAST FAST FAST FAST FAST FAST
标称电路换相断开时间 20 µs 15 µs 15 µs 15 µs 15 µs 30 µs 20 µs
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率 500 V/us 500 V/us 500 V/us 500 V/us 500 V/us 500 V/us 500 V/us
最大直流栅极触发电流 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA
最大直流栅极触发电压 4 V 4 V 4 V 4 V 4 V 4 V 4 V
最大维持电流 400 mA 400 mA 400 mA 400 mA 400 mA 400 mA 400 mA
JEDEC-95代码 TO-200AC TO-200AC TO-200AC TO-200AC TO-200AC TO-200AC TO-200AC
JESD-30 代码 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2
最大漏电流 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
通态非重复峰值电流 11000 A 13000 A 13000 A 13000 A 13000 A 11000 A 11000 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2
最大通态电流 510000 A 590000 A 590000 A 590000 A 590000 A 510000 A 510000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 1300 A 1500 A 1500 A 1500 A 1500 A 1300 A 1300 A
重复峰值关态漏电流最大值 100000 µA 100000 µA 100000 µA 100000 µA 100000 µA 100000 µA 100000 µA
断态重复峰值电压 1100 V 1000 V 1100 V 800 V 900 V 1400 V 900 V
重复峰值反向电压 1100 V 1000 V 1100 V 800 V 900 V 1400 V 900 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 END END END END END END END
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR
Base Number Matches - 1 1 1 1 - -
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