SN74ALS648-1DW,SN74ALS648-1DW pdf中文资料,SN74ALS648-1DW引脚图,SN74ALS648-1DW电路-Datasheet-电子工程世界

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参数对比

与SN74ALS648-1DW相近的元器件有：SN74ALS646NT、SN74ALS646DW、SN74ALS648-1NT。描述及对比如下：

型号	SN74ALS648-1DW	SN74ALS646NT	SN74ALS646DW	SN74ALS648-1NT
描述	Registered Bus Transceiver, ALS Series, 1-Func, 8-Bit, Inverted Output, TTL, PDSO24	ALS SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, PDIP24	ALS SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, PDSO24	Registered Bus Transceiver, ALS Series, 1-Func, 8-Bit, Inverted Output, TTL, PDIP24
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	DIRECTION CONTROL; SELECT INPUT FOR MULTIPLEXED TRANSMISSION OF REGISTERED/REAL TIME DATA	DIRECTION CONTROL; SELECT INPUT FOR MULTIPLEXED TRANSMISSION OF REGISTERED OR REAL TIME DATA	DIRECTION CONTROL; SELECT INPUT FOR MULTIPLEXED TRANSMISSION OF REGISTERED OR REAL TIME DATA	DIRECTION CONTROL; SELECT INPUT FOR MULTIPLEXED TRANSMISSION OF REGISTERED/REAL TIME DATA
系列	ALS	ALS	ALS	ALS
JESD-30 代码	R-PDSO-G24	R-PDIP-T24	R-PDSO-G24	R-PDIP-T24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	15.4 mm	31.64 mm	15.4 mm	31.64 mm
逻辑集成电路类型	REGISTERED BUS TRANSCEIVER	REGISTERED BUS TRANSCEIVER	REGISTERED BUS TRANSCEIVER	REGISTERED BUS TRANSCEIVER
位数	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2
端子数量	24	24	24	24
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
输出极性	INVERTED	TRUE	TRUE	INVERTED
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	DIP	SOP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
传播延迟（tpd）	20 ns	17 ns	17 ns	20 ns
认证状态	Not Qualified	COMMERCIAL	COMMERCIAL	Not Qualified
座面最大高度	2.65 mm	5.08 mm	2.65 mm	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	YES	NO
技术	TTL	TTL	TTL	TTL
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.5 mm	7.62 mm	7.5 mm	7.62 mm

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恩智浦与广汽研究院、大陆集团达成战略合作，打造全球领先的新一代智能网联产品

恩智浦（中国）管理有限公司（下称“恩智浦”）近日与广汽研究院、大陆投资（中国）有限公司（下称“大陆集团”）在广州签署战略合作协议，三方将联合打造面向未来、全球领先的新一代智能网联产品。广汽研究院院长吴坚、大陆集团中国区总裁兼首席执行官汤恩、恩智浦资深副总裁兼大中华区主席李廷伟共同出席并见证了此次签约。图1 广汽研究院和大陆集团、恩智浦三方代表签约随着汽车电动化、智联化的加速发展，汽...[详细]
菲亚特技术车展解析广汽七速双离合

在车展中，相信大家最喜闻乐见的依旧是那些香车美人，不过有时候静下心来，到相对冷清的零部件展馆中走走，也许会有另一番感受。在这次展会中，广汽就展出了其最新的七速双离合变速器，并将其命名为Dual Dryve。这款型号为C725的七速干式双离合变速器的核心技术来自于菲亚特集团，由杭州依维柯汽车变速器有限公司生产制造。该变速箱采用了电控液压驱动的双离合单元，同时换挡机构也由液压控制模块进行控制。...[详细]
基于CarSim的Euro NCAP ACC测试

Euro NCAP（欧洲新车评估计划）是欧洲新车评估计划的缩写，由一个自愿的五星级安全评级系统组成，自1996年以来一直存在。该评估协议由一系列的车辆测试组成，目的是帮助消费者和企业在安全性能方面对车辆进行相对比较。在自动驾驶辅助系统（ADAS）的辅助驾驶-公路辅助系统的测试中，一个基本的系统是自适应巡航控制，即ACC。在欧洲NCAP的测试协议中，ACC是通过车对车的测试来进行的，其中包括...[详细]
解决分压式窃电和移除电压窃电难题的新型防窃电电表设计

1引言随着家庭各类电器的增多，民用电量剧增，受经济利益的驱使，窃电现象也日益严重，各种新的窃电方式不断出现。据保守估算，全国每年因电能被盗损失达200多亿元，国外也同样存在窃电现象。这不单困扰供电企业的发展，也严重影响了国家的经济建设和社会的稳定。因此市场广泛需要防篡改的电能表。目前市面上的防窃电表，或防窃电功能单一，无法有效防止窃电事件的发生;或成本太高，无法大面积的普及。本文介绍了一款...[详细]
特斯拉推出第三代超级充电桩试图缓解电动汽车的旅程焦虑

据外媒报道，特斯拉公司（ Te sla Inc．）想出了一个新主意，可以缓解电动汽车的旅程焦虑。上个月，特斯拉开始推出第三代超级充电桩（Supercharger）时，该家汽车制造商还推出了一种车载技术，名为“在途电池预热”。当驾驶员向车辆导航系统发出指令，寻找超级充电桩时，该系统会开始给电池加热，从而可让电池在充电之前达到最佳充电温度。特斯拉表示，该功能可将汽车充电时间减少2...[详细]
LED电源恒流电路分析

随着LED led /' target='_blank' 照明现在越来越热，作为LED的生命支柱--LED 驱动电源也越来越受到人们的关注。我们都知道LED电源其实没什么特别，其特点就是需要恒流限压，况且长期工作在满载情况下，所以对效率的要求比较高；有些电源由于结构尺寸的限制，对高度有要求。下面我就试着就目前中小功率的LED照明电源，谈谈次级恒流的一些常见的方法来一个总结；不一定很...[详细]
用户抱怨开发版问题多，高管在线请大家支招

日前，小米手机系统软件部总监张国全在微博解答了为何开发版问题多，小米还坚持做开发版的原因。张国全表示，看到很多兄弟抱怨，为啥开发版问题这么多，为啥不立刻取消这些新功能以保证稳定和流畅，我买了手机，难道就应该体验开发版的bug ，别提开发版，开发版出问题严重影响工作，很多老米粉都清楚，开发版是我们新功能的体验版，数千人同时开发，每天大量迭代更新，各种大的软件架构调整经常发生，开发版...[详细]
比亚迪：有IGBT完整产业链，芯片耗损、电流输出达先进水平

近日，比亚迪披露投资者调研相关信息，在公司市场化发展的战略布局下，比亚迪半导体作为中国最大的车规级IGBT厂商，仅用42天即成功引入红杉资本中国基金、中金资本、国投创新等知名投资机构，广受市场追捧，同时也吸引了众多产业投资人的青睐。比亚迪半导体继续引入战略投资者，包括韩国 SK 集团、小米集团、招银国际、联想集团、中信产业基金、厚安基金、中芯聚源、上汽产投、北汽产投、深圳华强、蓝海华腾、英...[详细]
为Mac Pro做准备传苹果预定大批四核旗舰CPU

近期来自业内人士的传言称，苹果已经为准备其下一代Mac Pro高端工作站产品，提前预定了大批Intel 45nm四核心旗舰处理器。据悉，苹果预定的处理器型号为Xeon X5482，是Intel下一代45nm四核心Penryn处理器服务器版Xeon(代号Harpertown)的顶级型号，拥有1600MHz前端总线，12MB二级缓存，运行频率3.2GHz。传言称，苹果几乎预定了Intel今年生产...[详细]
LG G7 ThinQ真机亮屏照曝光：隐藏刘海更顺眼？

根据此前官方公布的信息，LG将于5月2日在纽约/首尔同时举行新品发布会，正式发布旗下全新旗舰G7 ThinQ。今天，该机的真机亮屏照也得到了曝光。根据此前曝光的消息，LG G7 ThinQ将采用6.1英寸19.5:9 LCD刘海屏，但支持隐藏刘海。现在，知名爆料大神Slashleaks曝光了LG G7 ThinQ的真机亮屏照，根据照片显示，该机确实可以隐藏刘海，开启该功能后，刘海所在...[详细]
传苹果在iPhone 4上测试Siri：结果良好

如果iPhone 4支持Siri，4S的销量是否会受到拖累？　　新浪科技讯北京时间11月7日早间消息，据美国科技资讯网站Jailbreaknation援引知情人士言论称，苹果正计划将语音助理服务Siri移植到iPhone 4等老款iOS设备中。　　据报道，苹果目前仍考虑在iPhone 4上发布Siri。苹果已尝试在员工使用的iPhone 4上安装集成了Siri的特定版本iOS 5。　　...[详细]
S3C6410 中文datasheet

第二章 memory map S3C6410X支持32位物理地址字段，并且这个字段能被分成2个部分，一部分是内存，一部分是外围设备。主存储器是通过SPINE总线来存取的，并且它的地址范围是从0X0000_0000到0X6FFF_FFFF。主存储器又被分成四个区域，boot镜像区，内部存储区，静态存储区，和动态存储区。 Boot镜像区的地址范围是从0X0000_0000到0X07FF...[详细]
STM32-GPIO学习笔记

STM32F103RB有4个IO口（A~D），每个IO口都有7个寄存器控制，他们分别是：端口配置寄存器（32位，共两个，CRL和CRH）数据寄存器（32位，共两个，IDR和ODR）置位/复位寄存器（32位，一个，BSRR）复位寄存器(16位，一个，BRR) 锁存寄存器（32位，一个，LCKR）常用的IO寄存器只有四个，即CRL、CRH、IDR、ODR，他们分别是设...[详细]
基于STCl2C5410AD的电动车无刷电机控制器检测设计

　　0 引言　　伴随着城市化进程，人们生活的交通距离不断扩大，代替燃油汽车和自行车的电动车的普及大幅度的提高了电力资源的利用效率，促进了国民经济的健康发展。电动自行车以电力作动力，骑行中不产生污染，无损于空气质量。从改善人们的出行方式、保护环境和经济条件许可情况等因素综合来看，电动自行车目前乃至今后都有着广阔的发展空间。电动自行车所用直流电机分为有刷电机和无刷电机两种。其中有刷电机控制较简单...[详细]
米尔RZ/G2L核心板引领工业市场32位MPU向64位演进

米尔RZ/G2L核心板175元起！引领工业市场32位MPU向64位演进近些年，基于32位MPU的嵌入式处理器在各行各业得到广泛应用，它为嵌入式设计带来丰富的硬件功能和额外的性能，代表着嵌入式技术发展主流方向，其内核以Cortex -A7、Cortex -A8为主。随着工业物联网的快速发展，嵌入式系统朝着越来越复杂的方向演进，对嵌入式技术开发硬件需求也越来越高，设计工程师必须面对新挑战选择更...[详细]