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T128F11TEC

Silicon Controlled Rectifier, 300A I(T)RMS, 128000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element,

器件类别:模拟混合信号IC    触发装置   

厂商名称:EUPEC [eupec GmbH]

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器件参数
参数名称
属性值
Objectid
1413702492
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
FAST
标称电路换相断开时间
20 µs
配置
SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率
500 V/us
最大直流栅极触发电流
150 mA
最大直流栅极触发电压
2 V
最大维持电流
250 mA
JESD-30 代码
O-CXDB-X5
最大漏电流
30 mA
通态非重复峰值电流
2800 A
元件数量
1
端子数量
5
最大通态电流
128000 A
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
ROUND
封装形式
DISK BUTTON
认证状态
Not Qualified
最大均方根通态电流
300 A
断态重复峰值电压
1100 V
重复峰值反向电压
1100 V
表面贴装
YES
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UNSPECIFIED
触发设备类型
SCR
文档预览
T 128 F
Elektrische Eigenschaften
iöchstzulässige Werte
Periodische Vorwärts- und
Rückwärts-Spitzensperrspannung
Vorwärts-Stoßspitzen-
sperrspannung
Rückwärts-Stoßspitzen-
sperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
Electrical properties
Aaximum rated values
repetitive peak forward off-state
and reverse voltages
non repetitive peak
forward off-state voltage
non repetitive peak
reverse voltage
RMS on-state current
average on-state current
surge current
Pt-value
critical rate of rise of on-state current
critical rate of rise of off-state voltage
t, = -4oc...t”,,,,
VD,,, b,M
800,lOOO
1100,1200
1300,1400*
V
v
v
t,, = -4o”C...t,,,,,
V
DSM
= VD,,
t,, = + 25°C .._ t,, max
VRSM = &RM
+lOO
300
128
191
2800
2450
39200
30000
160
‘)
‘)
50 50
500 500
500 50
1000 500
v
A
A
A
A
A
A’s
A’s
Alls
tc =
05°C
tc = 54°C
t, = 25”C, t, = 10 m s
t, = t, max, t, = 10 ms
t, = 25”C, t, = 10 ms
-1Oms
t, = t, max9 t p -
“o 5 67% “oRM, f = 50 Hz
ITRMSM
ITAVM
ITSM
Pt
iGM =
0,6 A, dio/dt = 0,6 A/ps
t, = t, max, VD = 67% VD,,
(dwdt),, B:
c*:
L:
M*:
vips
Vlps
vtps
Vlps
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Vorwärts- u. Rückwärts-Sperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
forward off-state and reverse Currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
t, = t,, ßaxr iT = 600 A
t, = t, max
t, = t, max
t, = 25”C, “o = 12 V
t, = 25”C, “o = 12 V
t”, = t, max, “o = 12v
t, = t, max, VD = 025 VDRM
t, = 25°C “o = 12 V, RA = 10 0
t, = 25”C, “o = 12 V, F& 2 10 Q
VT
vT(TO)
rT
IGT
vGT
IGD
VGD
IH
IL
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
2,6
1,28
2,15
150
2
10
0,25
250
1
30
1,4
18
20
25
V
V
mD
mA
v
mA
V
mA
A
mA
us
ps
ps
ps
iGM =
0,6A, dio/dt = 0,6A/ps, t, = 20 ps
iD> iR
t, = t, maxl kl = VDM VR = VRRM
t, = 25”C, iGM = 0,6 A, dioldt = 0,6 Alps
sieheTechn. ErUseeTechn. Inf.
&d
t,
s:
E:
F:
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
für beidseitige Kühlung
für anodenseitige Kühlung
für kathodenseitige Kühlung
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Anpreßkraft
Gewicht
Kriechstrecke
Feuchteklasse
Schwingfestigkeit
Maßbild
Thermal croperties
. .
thermal resistance, junction to case
for two-sided cooling
for anode-sided cooling
for cathode-sided cooling
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
Operating temperature
storage temperature
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
Clamping force
weight
Creepage distance
humidity classification
Vibration resistance
outline
F
G
DIN 40040
f=50Hz
DIN 41814151A4
8=180”el,sin
DC
0 = 180” el, sin
DC
f3 = 180” el, sm
DC
beidseitlg/two-sided
einseitiglone-sided
RthJC(K)
RthJC(A)
RthJC
R
thCK
t, max
t
COP
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
t Sk2
0,163”ClW
0,143”CIW
0,246 “CIW
0,226”ClW
0,406”CIW
0,386”CIW
0,015”cIw
0,03
"CIW
125°C
-4O...+ 125°C
-4o... + 140°C
3...6 kN
tYP.
70 g
17 mm
C
50 mls2
Seitelpage 154
* Für größere Stückzahlen bitte Liefertermin erfragenlDelivery for larger quantities on request
1) Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung)lValues to DIN IEC 747-6 (without prior commutation)
2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für t,llmmediately after circuit commutated turn-off time, see Parameters t,
58
T 128 F
\
60-
50
5
tC i SO’C
'.5
\
e
10
20
40
60
00
100
1
6
I
BildlFig. 1
10‘
BildlFlg. 4
t
ITMq
c:1
2
103
8
6
4
2
Bild/Fig. 5
Bild/Flg 3
BildlFig. 1, 2, 3
Steuergenerator/pulse
generator:
1s = 0,6 A, disldt = 0,6 A/ps
RC-GliedlRC-network:
Ft [a] 5 0,02 “DM [VI
C 5 0,15 pF
VDM 5 0867 VDRM
Bild/Fig. 6
BildlFig. 4, 5, 6
Steuergenerator/pulse generator:
ia = 0,6 A, dia/dt = 0,6 AJps
RC-GliedlRC-network:
Fl [cf 2 0,02 “DM [VI
C 5 0,23 IIF
-P
dvR/dt c 600 ‘//WS
VRM 5 0167 VRRM
VDM 5
OP VDRM
59
T 128 F
100
60
t kl
w
20
10
6
46
09
42
01
Bild/Flg. 16
Rückstromspitze IRM = f(-di/dt), t,, = t, (max,, vR = 0,5 &RM, “RM = 0,8 VRRM
Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt), t,, = t,, (max,, vR = 0.5 VRR,, VRM = 0.8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom/On-state current ITM
Blld/Flg. 18
Zündverzug/Gate controlled delay time tgd = f(iGM), t, = 25% dio/dt = i&l NS
a - Maximaler Verlauf/Llmiting Characteristic
b - Typischer Verlauf/typical charactenstlc
Bild/Flg. 17
Transienter innerer Wärmewiderstand ZoII)~c = f(t), DC
Transient thermal impedance Z,th,Jc = f(t), DC
1 Beidseitige Kühlung/two-sided
cooling
2 Anodenseltige Kühlunglanode side cooling
3 Kathodenseitige Kühlung/cathode side cooling
BildlFig. 19
Steuercharakteristik mit ZündbereichenlGate
va = f(io), Vo = 12 V
Parameter:
Steuerimpulsdauer/Trigger
Characteristic with triggering areas
a
b
1
40
c
0,5
60
p u duration t,
l s e
[msl
[Wl
10
20
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung/
Max. rated peak gate power dissipation PGM
Analytische Elemente des transienten WärmewIderstandes ZfhJc für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZlhJc for DC
Kühlung
3
14
15
16
17
=I
0,366
2,14
9,1
Analytische Funktion/analytical functlon:
nmax
Rthn (1 - EXP (-t/T,J)
Z INC =
c
n=l
61
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
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den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in
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Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
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will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect
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those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.
Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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参数对比
与T128F11TEC相近的元器件有:T128F10TEB、T128F10TEC、T128F10TEL、T128F10TEM、T128F11TEB、T128F11TEL、T128F11TEM。描述及对比如下:
型号 T128F11TEC T128F10TEB T128F10TEC T128F10TEL T128F10TEM T128F11TEB T128F11TEL T128F11TEM
描述 Silicon Controlled Rectifier, 300A I(T)RMS, 128000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element, Silicon Controlled Rectifier, 300A I(T)RMS, 128000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, Silicon Controlled Rectifier, 300A I(T)RMS, 128000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, Silicon Controlled Rectifier, 300A I(T)RMS, 128000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, Silicon Controlled Rectifier, 300A I(T)RMS, 128000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, Silicon Controlled Rectifier, 300A I(T)RMS, 128000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element, Silicon Controlled Rectifier, 300A I(T)RMS, 128000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element, Silicon Controlled Rectifier, 300A I(T)RMS, 128000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element,
Objectid 1413702492 1413702376 1413702484 1413702486 1413702244 1413702380 1413702494 1413702248
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 FAST FAST FAST FAST FAST FAST FAST FAST
标称电路换相断开时间 20 µs 20 µs 20 µs 20 µs 20 µs 20 µs 20 µs 20 µs
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率 500 V/us 50 V/us 500 V/us 500 V/us 1000 V/us 50 V/us 500 V/us 1000 V/us
最大直流栅极触发电流 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA
最大直流栅极触发电压 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最大维持电流 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA
JESD-30 代码 O-CXDB-X5 O-CXDB-X5 O-CXDB-X5 O-CXDB-X5 O-CXDB-X5 O-CXDB-X5 O-CXDB-X5 O-CXDB-X5
最大漏电流 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA
通态非重复峰值电流 2800 A 2800 A 2800 A 2800 A 2800 A 2800 A 2800 A 2800 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 5 5 5 5 5 5 5 5
最大通态电流 128000 A 128000 A 128000 A 128000 A 128000 A 128000 A 128000 A 128000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A
断态重复峰值电压 1100 V 1000 V 1000 V 1000 V 1000 V 1100 V 1100 V 1100 V
重复峰值反向电压 1100 V 1000 V 1000 V 1000 V 1000 V 1100 V 1100 V 1100 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR
高纯度捷变频频率源研制
摘 要:介绍了一种新颖的L波段低相噪、捷变频频率合成器。该方案所设计的频率合成器是一种可预置频率的合...
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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