N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T940N
Elektrische
T
Eigenschaften
= -40°C... T
vj
vj max
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
enndaten
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T
vj
= -40°C... T
vj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stossstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie
200 A
≤
i
T
≤
4700 A
on-state characteristic
T
C
= 85 °C
V
DRM
,V
RRM
1200
1400
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TAVM
I
TRMS
1200
1400
1300
1500
1600 V
1800 V
1600 V
1800 V
1700 V
1900 V
1759 A
959 A
1400 A
2200 A
17500 A
15500 A
1530 10³ A²s
1200 10³ A²s
200 A/µs
1000 V/µs
T
vj
= +25°C... T
vj max
T
C
= 55 °C,
θ
= 180°sin, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
th
5.Kennbuchstabe / 5 letter F
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 3,6 kA
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1 kA
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
v
T
V
(TO)
r
T
A=
B=
C=
D=
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
i
D
, i
R
max.
max.
1,95 V
1,17 V
0,85 V
0,27 mΩ
v
T
=
A
+
B
⋅
i
T
+
C
⋅
ln ( i
T
+
1)
+
D
⋅
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
i
T
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
GK
≥
10
Ω
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20 µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
1,046E+00
2,313E-04
-5,398E-02
8,494E-03
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
250 mA
2,2 V
10 mA
5 mA
0,25 V
300 mA
1500 mA
100 mA
4 µs
DIN IEC 60747-6
t
gd
T
vj
= 25 °C, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication:
revision:
2010-09-02
3.2
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T940N
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
θ
= 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
θ
= 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
th
4.Kennbuchstabe / 4 letter O
t
q
typ.
250 µs
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,028
0,026
0,050
0,048
0,058
0,056
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
0,005 °C/W
0,010 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
G
F
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10,5..21 kN
A 2,8x0,5
Ø 1,5
A 4,8x0,5
typ.
170
mm
mm
mm
g
5 mm
50 m/s²
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T940N
Massbild
4 5
1
2
1:
Anode / Anode
2:
Kathode / Cathode
4:
Gate
5:
Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T940N
R,t – Werte
Diagramme
Kühlung /
Diagramme
Cooling
beidseitig
two-sided
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
R
thn
[°C/W]
1
2
3
4
5
6
-
-
-
-
-
-
-t
7
-
-
-
-
-
-
Trans. Wärmewid. beidseitig
0,0126
0,00013
0,00164
0,00195
0,00968
0,00018
0,00013
0,00018
0,00013
0,00018
0,00166
0,00164
0,00151
0,00164
0,00151
0,00937
0,00195
0,00887
0,00195
0,00887
0,11900
0,01068
0,18100
0,01068
0,24100
0,8190
0,0336
1,1390
0,0416
0,0106
n
max
n=1
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
τ
n
[s]
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
Σ
R
thn
1
−
e
τ
n
0,06
c
0,05
a
0,04
Z
thJC
[°C/W]
0,03
b
0,02
0,01
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
= f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T940N
Durchlasskennlinie
Θ
= 180°
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
0,00320
0,00175
Θ
= 120°
0,00553
0,00275
Erhöhung des Z
th DC
bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln
Θ
Rise of Z
th DC
for sinewave and rectangular current with different current conduction angles
Θ
∆Z
th
Θ
rec
/
∆Z
th
Θ
sin
Kühlung / Cooling
Θ
= 90°
0,00743
0,00420
Θ
= 60°
0,01038
0,00681
Θ
= 30°
0,01554
0,01204
beidseitig
two-sided
0,00320
0,00557
0,00754
0,01066
0,01630
anodenseitig
anode-sided
0,00162
0,00317
0,00159
0,00261
0,00552
0,00256
0,00408
0,00749
0,00402
0,00679
0,01060
0,00672
0,01247
0,01623
0,01240
kathodenseitig
cathode-sided
Z
th
Θ
rec
= Z
th DC
+
∆Z
th
Θ
rec
Z
th
Θ
sin
= Z
th DC
+
∆Z
th
Θ
sin
5000
4000
T
vj
= T
vj max
3000
i
T
[A]
2000
1000
0
0,8
1
1,2
1,4
v
T
[V]
1,6
1,8
2
2,2
2,4
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj max
IFBIP D AEC / 2010-09-02, H.Sandmann
A 28/10
Seite/page
5/10
stm32/stm8
