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TC5116405CSJ-40

IC 4M X 4 EDO DRAM, 40 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Toshiba(东芝)

厂商官网:http://toshiba-semicon-storage.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Toshiba(东芝)
零件包装代码
SOJ
包装说明
0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
针数
24
Reach Compliance Code
unknown
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
40 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码
R-PDSO-J24
长度
17.15 mm
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
24
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
座面最大高度
3.7 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.7 mm
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参数对比
与TC5116405CSJ-40相近的元器件有:TC5116405CST-50、TC5116405CSJ-50、TC5116405CSJ-60、TC5116405CST-60、TC5116405CST-40。描述及对比如下:
型号 TC5116405CSJ-40 TC5116405CST-50 TC5116405CSJ-50 TC5116405CSJ-60 TC5116405CST-60 TC5116405CST-40
描述 IC 4M X 4 EDO DRAM, 40 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM IC 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM IC 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM IC 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM IC 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM IC 4M X 4 EDO DRAM, 40 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM
零件包装代码 SOJ TSOP SOJ SOJ TSOP TSOP
包装说明 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 TSOP2, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24
针数 24 26/24 24 24 26/24 26/24
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 40 ns 50 ns 50 ns 60 ns 60 ns 40 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-J24 R-PDSO-G24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24
长度 17.15 mm 17.14 mm 17.15 mm 17.15 mm 17.14 mm 17.14 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 24 24
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ TSOP2 SOJ SOJ TSOP2 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096
座面最大高度 3.7 mm 1.2 mm 3.7 mm 3.7 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 J BEND GULL WING J BEND J BEND GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.7 mm 7.7 mm 7.7 mm 7.7 mm 7.7 mm 7.7 mm
厂商名称 Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
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