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TC55W1600XB8

IC 1M X 16 STANDARD SRAM, 100 ns, PBGA48, 10 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-48, Static RAM

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Toshiba(东芝)

厂商官网:http://toshiba-semicon-storage.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Toshiba(东芝)
零件包装代码
BGA
包装说明
LFBGA, BGA48,6X8,32
针数
48
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
100 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PBGA-B48
长度
12 mm
内存密度
16777216 bi
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端子数量
48
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
1MX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LFBGA
封装等效代码
BGA48,6X8,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
2.5/3 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.4 mm
最小待机电流
1.5 V
最大压摆率
0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.1 V
最小供电电压 (Vsup)
2.3 V
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
10 mm
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参数对比
与TC55W1600XB8相近的元器件有:TC55W1600XB7。描述及对比如下:
型号 TC55W1600XB8 TC55W1600XB7
描述 IC 1M X 16 STANDARD SRAM, 100 ns, PBGA48, 10 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-48, Static RAM IC 1M X 16 STANDARD SRAM, 85 ns, PBGA48, 10 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-48, Static RAM
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 LFBGA, BGA48,6X8,32 LFBGA, BGA48,6X8,32
针数 48 48
Reach Compliance Code unknow unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 100 ns 85 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48
长度 12 mm 12 mm
内存密度 16777216 bi 16777216 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端子数量 48 48
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 1MX16 1MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFBGA LFBGA
封装等效代码 BGA48,6X8,32 BGA48,6X8,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2.5/3 V 2.5/3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm
最小待机电流 1.5 V 1.5 V
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.1 V 3.1 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10 mm 10 mm
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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