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增益带宽积（GBP）：1MHz 放大器组数：2 运放类型：J-FET 各通道功耗：- 压摆率（SR）：3.5 V/us 电源电压：7V ~ 36V, ±3.5V ~ 18V 二路低功耗 JFET 输入通用运算放大器
器件标准：
| 型号 | TL062IP | TL064CNSR | TL064CN | TL061CP |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 增益带宽积（GBP）：1MHz 放大器组数：2 运放类型：J-FET 各通道功耗：- 压摆率（SR）：3.5 V/us 电源电压：7V ~ 36V, ±3.5V ~ 18V 二路低功耗 JFET 输入通用运算放大器 | 增益带宽积（GBP）：1MHz 放大器组数：4 运放类型：J-FET 各通道功耗：- 压摆率（SR）：3.5 V/us 电源电压：7V ~ 36V, ±3.5V ~ 18V | 增益带宽积（GBP）：1MHz 放大器组数：4 运放类型：J-FET 各通道功耗：- 压摆率（SR）：3.5 V/us 电源电压：7V ~ 36V, ±3.5V ~ 18V | 增益带宽积（GBP）：1MHz 放大器组数：1 运放类型：J-FET 各通道功耗：200uA 压摆率（SR）：3.5 V/us 电源电压：7V ~ 36V, ±3.5V ~ 18V J-FET |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP-8 | SOP, SOP14,.3 | DIP, DIP14,.3 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 | 14 | 14 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week | 6 weeks | 1 week | 1 week |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.02 µA | 0.0002 µA | 0.01 µA | 0.0002 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA | 0.0004 µA | 0.0004 µA | 0.0004 µA |
| 最小共模抑制比 | 80 dB | 70 dB | 70 dB | 70 dB |
| 标称共模抑制比 | 86 dB | 86 dB | 86 dB | 86 dB |
| 频率补偿 | YES | YES | YES | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.0001 µA | 0.0002 µA | 0.0002 µA | 0.0002 µA |
| 最大输入失调电压 | 9000 µV | 15000 µV | 20000 µV | 6000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G14 | R-PDIP-T14 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | e4 | e4 |
| 长度 | 9.81 mm | 10.2 mm | 19.305 mm | 9.59 mm |
| 低-偏置 | YES | YES | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO | NO | NO |
| 微功率 | YES | YES | YES | YES |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 2 | 4 | 4 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 14 | 14 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | SOP14,.3 | DIP14,.3 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 包装方法 | TUBE | TR | TUBE | TUBE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
| 可编程功率 | NO | NO | NO | NO |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 1.5 V/us | 1.5 V/us | 1.5 V/us | 1.5 V/us |
| 标称压摆率 | 3.5 V/us | 3.5 V/us | 3.5 V/us | 3.5 V/us |
| 最大压摆率 | 0.5 mA | 0.25 mA | 0.25 mA | 0.25 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | YES | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1000 kHz | 1000 kHz | 1000 kHz | 1000 kHz |
| 最小电压增益 | 4000 | 3000 | 3000 | 3000 |
| 宽带 | NO | NO | NO | NO |
| 宽度 | 7.62 mm | 5.3 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | - | Texas Instruments(德州仪器) |
| Samacsys Description | Dual Low-Power JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier | Quad Low-Power JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier | - | Low-Power JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier |
