TLC2652IN,TLC2652IN pdf中文资料,TLC2652IN引脚图,TLC2652IN电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与TLC2652IN相近的元器件有：TLC2652AM-8D、TLC2652AMP、TLC2652C-14D、TLC2652MFK、TLC2652MP、TLC2652AM-14D。描述及对比如下：

型号	TLC2652IN	TLC2652AM-8D	TLC2652AMP	TLC2652C-14D	TLC2652MFK	TLC2652MP	TLC2652AM-14D
描述	OP-AMP, 4.95uV OFFSET-MAX, 1.9MHz BAND WIDTH, PDIP14, PLASTIC, MS-001AA, DIP-14	OP-AMP, 8uV OFFSET-MAX, 1.9MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8	OP-AMP, 8uV OFFSET-MAX, 1.9MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8	Precision Chopper-Stabilized Operational Amplifier 14-SOIC	OP-AMP, 10uV OFFSET-MAX, 1.9MHz BAND WIDTH, CQCC20, CERAMIC, LCC-20	OP-AMP, 10uV OFFSET-MAX, 1.9MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8	OP-AMP, 8uV OFFSET-MAX, 1.9MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, SOIC-14
零件包装代码	DIP	SOIC	DIP	SOIC	QLCC	DIP	SOIC
包装说明	PLASTIC, MS-001AA, DIP-14	PLASTIC, SOIC-8	PLASTIC, DIP-8	PLASTIC, SOIC-14	CERAMIC, LCC-20	PLASTIC, DIP-8	SOP, SOP14,.25
针数	14	8	8	14	20	8	14
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	not_compliant	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	CHOPPER-STAB	CHOPPER-STAB	CHOPPER-STAB	CHOPPER-STAB	CHOPPER-STAB	CHOPPER-STAB	CHOPPER-STAB
最大平均偏置电流 (IIB)	0.00015 µA	0.0005 µA	0.0005 µA	0.0001 µA	0.0005 µA	0.0005 µA	0.0005 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.00006 µA	0.00006 µA	0.00006 µA	0.00006 µA	0.00006 µA	0.00006 µA	0.00006 µA
最小共模抑制比	120 dB	120 dB	120 dB	120 dB	120 dB	120 dB	120 dB
标称共模抑制比	140 dB	140 dB	140 dB	140 dB	140 dB	140 dB	140 dB
频率补偿	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大输入失调电压	4.95 µV	8 µV	8 µV	4.35 µV	10 µV	10 µV	8 µV
JESD-30 代码	R-PDIP-T14	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G14	S-CQCC-N20	R-PDIP-T8	R-PDSO-G14
长度	19.305 mm	4.9 mm	9.81 mm	8.65 mm	8.89 mm	9.81 mm	8.65 mm
低-偏置	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
低-失调	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
微功率	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
负供电电压上限	-8 V	-8 V	-8 V	-8 V	-8 V	-8 V	-8 V
标称负供电电压 (Vsup)	-5 V	-5 V	-5 V	-5 V	-5 V	-5 V	-5 V
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	14	8	8	14	20	8	14
最高工作温度	85 °C	125 °C	125 °C	70 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-55 °C	-55 °C	-	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOP	DIP	SOP	QCCN	DIP	SOP
封装等效代码	DIP14,.3	SOP8,.25	DIP8,.3	SOP14,.25	LCC20,.35SQ	DIP8,.3	SOP14,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	SMALL OUTLINE
功率	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
电源	+-5 V	+-5 V	+-5 V	+-5 V	+-5 V	+-5 V	+-5 V
可编程功率	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	1.75 mm	5.08 mm	1.75 mm	2.03 mm	5.08 mm	1.75 mm
最小摆率	1.4 V/us	1.3 V/us	1.3 V/us	1.5 V/us	1.3 V/us	1.3 V/us	1.3 V/us
标称压摆率	2.8 V/us	2.8 V/us	2.8 V/us	2.8 V/us	2.8 V/us	2.8 V/us	2.8 V/us
最大压摆率	2.5 mA	2.5 mA	2.5 mA	2.5 mA	2.5 mA	2.5 mA	2.5 mA
供电电压上限	8 V	8 V	8 V	8 V	8 V	8 V	8 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	YES	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	NO LEAD	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL
标称均一增益带宽	1900 kHz	1900 kHz	1900 kHz	1900 kHz	1900 kHz	1900 kHz	1900 kHz
最小电压增益	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
宽带	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
宽度	7.62 mm	3.9 mm	7.62 mm	3.9 mm	8.89 mm	7.62 mm	3.9 mm
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	-	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)

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51单片机点亮LED灯、流水灯

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avr单片机IIc总线编程

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台湾IC设计龙头，传淘汰3000员工

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减少组件数量并消除LED闪烁的7.8WLED系统

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湿纸巾是干垃圾还是湿垃圾？未来AI机器人帮你垃圾分类、定时定点投放！

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示波器探头的 x1x10衰减、补偿校准手法

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北现新车ENCINO上市_与小型SUV 缤智/XR-V对比如何

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罗杰斯公司推出RO1200(TM)高速、极低损耗层压板材料

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扇出式封装市场预计2021年触底反弹

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北欧地区最大的电池将帮助44MW的水电站平衡电网

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下一代超高速5G毫米波手机离我们有多远？

当前，第五代移动通信(5G)研发和布局正在全球如火如荼的展开。5G将提供至少10 Gbps的峰值下载速率和低于1毫秒的延迟，将远超当前4G LTE-A技术。当前3G, 4G的频段主要集中在6 GHz以下，而稀缺的频率资源使得达到更高的下载速率异常困难。所以，5G一个重要的演进是关于使用更高的频段，比如28 GHz，39 GHz 等毫米波频段。而传统认为，如此超高频将给移动通信系统设计带来极...[详细]
LoRa®器件助力itk打造健康与高效的牧场

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特斯拉、高通、华为可用于智能驾驶领域AI处理器的深度分析

很多人会问，为什么没有英伟达？目前所有主流深度学习运算主流框架后端都是英伟达的CUDA，包括TensorFlow、Caffe、Caffe2、PyTorch、mxnet、PaddlePaddle，CUDA包括微架构和指令集以及并行计算引擎。CUDA垄断了深度学习或者也可以说垄断了人工智能，这一点类似ARM的微架构和指令集。CUDA强大的生态系统，造就了英伟达牢不可破的霸主地位。深度学习的理论基础在...[详细]
Lattice半导体2024年第三季度财报：将裁员14%

2024年11月4日，Lattice半导体（NASDAQ：LSCC）发布了2024年第三季度财报，并召开了财报电话会议。公司CEO Ford Tamer与临时CFO Tonya Stevens共同介绍了公司的财务业绩以及未来的战略方向。Tamer在会议中分享了Lattice在技术创新与市场拓展方面的成就，以及公司如何利用低功耗可编程解决方案在小型与中型FPGA市场中持续扩大市场份额。在202...[详细]