TLE2161ACD,TLE2161ACD pdf中文资料,TLE2161ACD引脚图,TLE2161ACD电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与TLE2161ACD相近的元器件有：TLE2161ID、TLE2161CD、TLE2161AID、TLE2161AIDR。描述及对比如下：

型号	TLE2161ACD	TLE2161ID	TLE2161CD	TLE2161AID	TLE2161AIDR
描述	Excalibur JFET-Input High-Output-Drive uPower Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70	JFET-Input High-Output-Drive Low-Power Decompensated Operational Amplifier 8-SOIC	JFET-Input High-Output-Drive Low-Power Decompensated Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70	Excalibur JFET-Input High-Output-Drive uPower Operational Amplifier 8-SOIC	Excalibur JFET-Input High-Output-Drive uPower Operational Amplifier 8-SOIC
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC
包装说明	SOP, SOP8,.25	SOP, SOP8,.25	SOP, SOP8,.25	SOP, SOP8,.25	SO-8
针数	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks	1 week	1 week	1 week	1 week
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.00006 µA	0.005 µA	0.003 µA	0.00006 µA	0.00006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.000003 µA	0.000003 µA	0.000003 µA	0.000003 µA	0.000003 µA
最小共模抑制比	72 dB	65 dB	65 dB	72 dB	72 dB
标称共模抑制比	90 dB	65 dB	70 dB	90 dB	90 dB
频率补偿	YES (AVCL>=5)	YES (AVCL>=5)	YES (AVCL>=5)	YES (AVCL>=5)	YES (AVCL>=5)
最大输入失调电流 (IIO)	0.0008 µA	0.002 µA	0.0008 µA	0.002 µA	0.002 µA
最大输入失调电压	1500 µV	4300 µV	3900 µV	1500 µV	1500 µV
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4
长度	4.9 mm	4.9 mm	4.9 mm	4.9 mm	4.9 mm
低-偏置	YES	YES	YES	YES	YES
低-失调	NO	NO	NO	NO	NO
微功率	YES	YES	YES	YES	YES
湿度敏感等级	1	1	1	1	1
负供电电压上限	-19 V	-19 V	-19 V	-19 V	-19 V
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP
封装等效代码	SOP8,.25	SOP8,.25	SOP8,.25	SOP8,.25	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
包装方法	TUBE	TUBE	TUBE	TUBE	TR
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260
功率	NO	NO	NO	NO	NO
电源	+-3.5/+-18/7/36 V	+-3.5/+-18/7/36 V	+-3.5/+-18/7/36 V	+-3.5/+-18/7/36 V	+-3.5/+-18/7/36 V
可编程功率	NO	NO	NO	NO	NO
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm	1.75 mm	1.75 mm	1.75 mm	1.75 mm
最小摆率	5 V/us	5 V/us	5 V/us	5 V/us	5 V/us
标称压摆率	10 V/us	10 V/us	10 V/us	10 V/us	10 V/us
最大压摆率	0.35 mA	0.35 mA	0.35 mA	0.35 mA	0.35 mA
供电电压上限	19 V	19 V	19 V	19 V	19 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽	6400 kHz	5600 kHz	5600 kHz	6400 kHz	6400 kHz
最小电压增益	500	500	500	500	500
宽带	NO	NO	NO	NO	NO
宽度	3.91 mm	3.9 mm	3.9 mm	3.91 mm	3.91 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1

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人工智能设计出数千个新DNA开关，可精准控制基因表达

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二氧化碳传感器在汽车空调控制系统中的应用

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35.BSS段的知识

在C语言中，初始化的全局变量是存在数据段的，初始化的局部变量是存在栈中的，用malloc分配的空间是存在堆里的，未初始化的全局变量是存在bss段。 Hello.c: #include stdio.h int bssdata; int main(){ bssdata = 2015; return bssdata; } 编译，读出可执行文件的信息：从下面可以看到，定义的未初始化的全局...[详细]
马斯克：特斯拉的储能业务“像野火一样增长”

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使用合成数据实现自动驾驶摄像感知系统聚焦远场物体

探测远场物体（比如 100 米以外的车辆等）是自动驾驶系统在高速公路上安全运行的基础。在此类高速环境中，每一秒都至关重要。因此，如果能够将以 70 英里/小时（约 113 公里/小时）速度行驶的自动驾驶车辆的感知范围从 100 米增加到 200 米，那么车辆就会有更多的时间裕量来做出反应。然而，对于量产乘用车中所部署的摄像感知系统来说，扩大这一范围尤其困难。训练摄像感知系统来探测远场物体...[详细]
GD32开发实战指南(基础篇) 第8章定时器

开发环境： MDK：Keil 5.30 开发板：GD32F207I-EVAL MCU：GD32F207IK 1 PWM输出的工作原理脉冲宽度调制(PWM) ，是英文“Pulse Width Modulation” 的缩写，简称脉宽调制，是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术。简单一点，就是对脉冲宽度的控制。 GD32 的定时器除了 TIMER5 和 6（基...[详细]
AI 大模型迈向多模态，助力具身智能与机器人实现创新

你听过莫拉维克悖论 (Moravec's paradox) 吗？该悖论指出，对于人工智能 (AI) 系统而言，高级推理只需非常少的计算能力，而实现人类习以为常的感知运动技能却需要耗费巨大的计算资源。实质上，与人类本能可以完成的基本感官任务相比，复杂的逻辑任务对 AI 而言更加容易。这一悖论凸显了现阶段的 AI 与人类认知能力之间的差异。人本来就是多模态的。我们每个人就像一个智能...[详细]
亿铸科技高级副总裁徐芳：存算一体架构创新助力国产大算力AI芯片腾飞

2024年10月17日—— 在湾芯展SEMiBAY2024《AI芯片与高性能计算（HPC）应用论坛》上，亿铸科技高级副总裁徐芳发表了题为《存算一体架构创新助力国产大算力AI芯片腾飞》的演讲。徐总在演讲中详细介绍了亿铸科技的发展历程、技术优势以及对未来产业的展望，同时分析了当前国内AI大算力芯片面临的挑战。存算一体架构：突破传统计算瓶颈自2022年以来，美国不断收紧对华出...[详细]
三菱伺服电机编码器故障及维修

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安森美推出先进模拟和混合信号平台

11月11日，智能电源和智能感知技术公司安森美（onsemi）宣布推出Treo Platform（Treo平台），即一个采用Bipolar -CMOS-DMOS（BCD）工艺技术在先进的65nm节点上构建的模拟和混合信号平台。该平台可为安森美的各种电源和传感解决方案提供基础，包括高性能和低功耗传感、高效电源管理和专用通信设备。使用这种单一、可扩展的解决方案，客户可以简化和加速现有应用的产品开发，...[详细]
车规芯片都用在车的什么部位呢

首先，由于自动驾驶和新能源车需求增加，车用储存芯片市场规模将持续扩大，其中DRAM 和NAND 为需求重点，预计21-25 年单车用DRAM 和NAND 数量将翻5 倍/10 倍，单车价值量增长均超4 倍，整体推动车用存储市场规模在25 年将达88 亿美元。存储芯片可分为闪存和内存，闪存包括NAND FLASH 和NOR FLASH，内存主要为DRAM。从应用形态上看，NAND Flash...[详细]
新能源电动汽车充电桩N9305语音芯片方案

交通领域是实现能源转型的关键领域，汽车电动化在全球范围内欣欣向荣，也在亚洲不断发展。以电能为动力驱动的电动汽车已经成为都市居民上下班的代步工具，因其对环境影响小、不受限行限号出行限制的优点，具有广泛的应用潜力。随着国家对环境问题的越来越重视，大力提倡节能减排，减少对环境的污染，汽车行业也积极响应国家的环保政策，不断进行创新，力争打造出环保型汽车，新能源电动车也得到空前的发展。在中国...[详细]
基于ASPICE模型的汽车软件开发质量管理设计

前言当前汽车领域正处于一个极具挑战性的历史时刻，随着电动化、智能化、网联化和共享化等不断变化的应用场景，大量新兴的业务和技术需求急速增长，汽车正日益成为软件密集型的复杂系统，汽车行业的大部分创新都是基于电子和软件。现代汽车可以有100多个电子控制模块，这些控制模块通过汽车智能电子架构，一起执行数十亿字节的软件，同时通过车联网实现车与车、车与云端的相互连接。汽车智能网联时代的到来，越来越依赖于汽...[详细]
研究人员开发出自学习机器人，可模仿人类清洁洗脸盆

11 月 10 日消息，维也纳工业大学（TU Wien）的研究人员开发了一种自学机器人，能够模仿人类完成简单的任务，例如清洁洗脸盆。这一看似简单的任务，对于机器人来说却是一项巨大的挑战。传统的机器人编程需要对洗脸盆的复杂曲线进行精确的数学建模，这是一项耗时且复杂的工作。而该研究团队通过结合人类示范和触觉数据，训练机器人模仿人类的动作，从而简化了这一过程。这种学习方法不仅适用于家庭清洁，还...[详细]
聊聊车载摄像头的ESD问题

一前言新能源汽车的浪潮越来越大，车身智能也越来越完善，而智能驾驶与传感器息息相关。据悉部分新能源汽车，整车使用的摄像头多达12个，红外、雷达波等其他传感器8个之多，而这些电子产品使用的越多，安全问题就越发引人关注，这里就针对车载摄像头的ESD问题来聊聊。二结构车载摄像头整体结构比较简单，复杂的是内部“电路”部分，不同协议的摄像头，电路略有区别，但是整体结构上基本不变，分为“前盖（镜头）...[详细]