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TLV2252IPE4

Operational Amplifiers - Op Amps Dual Rail-To-Rail Lo-Vltg Lo-Power

器件类别:模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

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器件:TLV2252IPE4

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP8,.3
针数
8
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
架构
VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)
0.001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)
0.00006 µA
标称共模抑制比
75 dB
频率补偿
YES
最大输入失调电压
1750 µV
JESD-30 代码
R-PDIP-T8
JESD-609代码
e4
长度
9.59 mm
低-偏置
YES
低-失调
NO
微功率
YES
功能数量
2
端子数量
8
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
+-1.35/+-4/2.7/8 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.08 mm
最小摆率
0.05 V/us
标称压摆率
0.1 V/us
最大压摆率
0.15 mA
供电电压上限
16 V
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
AUTOMOTIVE
端子面层
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽
187 kHz
最小电压增益
10000
宽度
7.62 mm
参数对比
与TLV2252IPE4相近的元器件有:TLV2254INE4、TLV2254AINE4。描述及对比如下:
型号 TLV2252IPE4 TLV2254INE4 TLV2254AINE4
描述 Operational Amplifiers - Op Amps Dual Rail-To-Rail Lo-Vltg Lo-Power Operational Amplifiers - Op Amps Quad Rail-To-Rail Lo-Vltg Lo-Power Operational Amplifiers - Op Amps Quad Low-Voltage Rail-to-Rail
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3
针数 8 14 14
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.001 µA 0.001 µA 0.001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.00006 µA 0.00006 µA 0.00006 µA
标称共模抑制比 75 dB 75 dB 77 dB
频率补偿 YES YES YES
最大输入失调电压 1750 µV 1750 µV 1000 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T14 R-PDIP-T14
JESD-609代码 e4 e4 e4
长度 9.59 mm 19.305 mm 19.305 mm
低-偏置 YES YES YES
低-失调 NO NO NO
微功率 YES YES YES
功能数量 2 4 4
端子数量 8 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP8,.3 DIP14,.3 DIP14,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 +-1.35/+-4/2.7/8 V +-1.35/+-4/2.7/8 V +-1.35/+-4/2.7/8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最小摆率 0.05 V/us 0.05 V/us 0.05 V/us
标称压摆率 0.1 V/us 0.1 V/us 0.1 V/us
最大压摆率 0.15 mA 0.3 mA 0.3 mA
供电电压上限 16 V 16 V 16 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 187 kHz 187 kHz 187 kHz
最小电压增益 10000 10000 10000
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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