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TM4164FL8-12L

64KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, 3.100 X 0.650 INCH, SIMM-30

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

敬请期待
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码
SIMM
包装说明
3.100 X 0.650 INCH, SIMM-30
针数
30
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
PAGE
最长访问时间
120 ns
其他特性
RAS ONLY REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XSMA-T30
内存密度
524288 bit
内存集成电路类型
DRAM MODULE
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
30
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
64KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装等效代码
SIP30,.2
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
256
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
NMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
参数对比
与TM4164FL8-12L相近的元器件有:TM4164FL8-20L、TM4164FL8-15L、TM4164FM8-15L、TM4164FM8-12L、TM4164FM8-20L。描述及对比如下:
型号 TM4164FL8-12L TM4164FL8-20L TM4164FL8-15L TM4164FM8-15L TM4164FM8-12L TM4164FM8-20L
描述 64KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, 3.100 X 0.650 INCH, SIMM-30 64KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA30, 3.100 X 0.650 INCH, SIMM-30 64KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA30, 3.100 X 0.650 INCH, SIMM-30 64KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA30, 3.500 X 0.600 INCH, SIMM-30 64KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, 3.500 X 0.600 INCH, SIMM-30 64KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA30, 3.500 X 0.600 INCH, SIMM-30
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
包装说明 3.100 X 0.650 INCH, SIMM-30 , SIP30,.2 , SIP30,.2 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30
针数 30 30 30 30 30 30
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 PAGE PAGE PAGE PAGE PAGE PAGE
最长访问时间 120 ns 200 ns 150 ns 150 ns 120 ns 200 ns
其他特性 RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-T30 R-XSMA-T30 R-XSMA-T30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30
内存密度 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bi
内存集成电路类型 DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 30 30 30 30 30 30
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装等效代码 SIP30,.2 SIP30,.2 SIP30,.2 SIM30 SIM30 SIM30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 256 256 256 256 256 256
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) - Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
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