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TS27L2BMD

DUAL OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8

器件类别:模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
SOIC
包装说明
SOP, SOP8,.25
针数
8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
架构
VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)
0.0003 µA
标称共模抑制比
80 dB
频率补偿
YES
最大输入失调电压
3500 µV
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e4
长度
4.9 mm
低-偏置
YES
低-失调
NO
微功率
YES
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量
2
端子数量
8
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP8,.25
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功率
NO
电源
5/10 V
可编程功率
NO
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
标称压摆率
0.04 V/us
最大压摆率
0.036 mA
供电电压上限
18 V
标称供电电压 (Vsup)
10 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽
100 kHz
最小电压增益
40000
宽带
NO
宽度
3.9 mm
文档预览
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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参数对比
与TS27L2BMD相近的元器件有:TS27L2BIN、TS27L2AMD、TS27L2MN。描述及对比如下:
型号 TS27L2BMD TS27L2BIN TS27L2AMD TS27L2MN
描述 DUAL OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8 DUAL OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 DUAL OP-AMP, 6500uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8 DUAL OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 SOIC DIP SOIC DIP
包装说明 SOP, SOP8,.25 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25 DIP, DIP8,.3
针数 8 8 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.0003 µA 0.0003 µA 0.0003 µA 0.0003 µA
标称共模抑制比 80 dB 80 dB 80 dB 80 dB
频率补偿 YES YES YES YES
最大输入失调电压 3500 µV 3500 µV 6500 µV 12000 µV
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e4 e3 e4 e3
低-偏置 YES YES YES YES
低-失调 NO NO NO NO
微功率 YES YES YES YES
功能数量 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -40 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP SOP DIP
封装等效代码 SOP8,.25 DIP8,.3 SOP8,.25 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
功率 NO NO NO NO
电源 5/10 V 5/10 V 5/10 V 5/10 V
可编程功率 NO NO NO NO
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 5.08 mm 1.75 mm 5.08 mm
标称压摆率 0.04 V/us 0.04 V/us 0.04 V/us 0.04 V/us
最大压摆率 0.036 mA 0.036 mA 0.036 mA 0.036 mA
供电电压上限 18 V 18 V 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 10 V 10 V 10 V 10 V
表面贴装 YES NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY AUTOMOTIVE MILITARY MILITARY
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Matte Tin (Sn) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 100 kHz 100 kHz 100 kHz 100 kHz
最小电压增益 40000 40000 40000 40000
宽带 NO NO NO NO
宽度 3.9 mm 7.62 mm 3.9 mm 7.62 mm
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器件捷径:
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