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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,25V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6
厂商名称：ST(意法半导体)
厂商官网：http://www.st.com/
下载文档| 型号 | TSP225M | TSP1025M | TSP525M |
|---|---|---|---|
| 描述 | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,25V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6 | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6 | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,50V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| 标称电路换相断开时间 | 50 µs | 50 µs | 50 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 50 V/us | 50 V/us | 50 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 50 mA | 50 mA | 50 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 2 V | 2 V | 2 V |
| 最大维持电流 | 50 mA | 50 mA | 50 mA |
| 最大漏电流 | 10 mA | 10 mA | 10 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 700 A | 700 A | 700 A |
| 最大通态电压 | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
| 最大通态电流 | 25000 A | 25000 A | 25000 A |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -45 °C | -45 °C | -45 °C |
| 断态重复峰值电压 | 25 V | 100 V | 50 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 触发设备类型 | SCR | SCR | SCR |
