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UPD41257L-15

Nibble Mode DRAM, 256KX1, 150ns, NMOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18

器件类别:存储    存储   

厂商名称:NEC(日电)

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
NEC(日电)
包装说明
PLASTIC, LCC-18
Reach Compliance Code
unknown
访问模式
NIBBLE
最长访问时间
150 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码
R-PQCC-J18
长度
12.5 mm
内存密度
262144 bit
内存集成电路类型
NIBBLE MODE DRAM
内存宽度
1
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
18
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QCCJ
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
认证状态
Not Qualified
刷新周期
256
座面最大高度
3.7 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
NMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
宽度
7.4 mm
参数对比
与UPD41257L-15相近的元器件有:UPD41257L-20、UPD41257L-12、UPD41257C-15。描述及对比如下:
型号 UPD41257L-15 UPD41257L-20 UPD41257L-12 UPD41257C-15
描述 Nibble Mode DRAM, 256KX1, 150ns, NMOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18 Nibble Mode DRAM, 256KX1, 200ns, NMOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18 Nibble Mode DRAM, 256KX1, 120ns, NMOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18 Nibble Mode DRAM, 256KX1, 150ns, NMOS, PDIP16, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16
包装说明 PLASTIC, LCC-18 PLASTIC, LCC-18 PLASTIC, LCC-18 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
访问模式 NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE
最长访问时间 150 ns 200 ns 120 ns 150 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PQCC-J18 R-PQCC-J18 R-PQCC-J18 R-PDIP-T16
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM
内存宽度 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 18 18 18 16
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX1 256KX1 256KX1 256KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ QCCJ QCCJ DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 256 256 256 256
座面最大高度 3.7 mm 3.7 mm 3.7 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES NO
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 J BEND J BEND J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD DUAL
宽度 7.4 mm 7.4 mm 7.4 mm 7.62 mm
长度 12.5 mm 12.5 mm 12.5 mm -
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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