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USBQNM50415CE3/TR7

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Microchip(微芯科技)

厂商官网:https://www.microchip.com

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Microchip(微芯科技)
包装说明
R-PDSO-N4
Reach Compliance Code
compliant
其他特性
ULTRA LOW CAPACITANCE
最小击穿电压
16.7 V
击穿电压标称值
16.7 V
最大钳位电压
32 V
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码
R-PDSO-N4
JESD-609代码
e3
最大非重复峰值反向功率耗散
500 W
元件数量
2
端子数量
4
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压
15 V
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
参数对比
与USBQNM50415CE3/TR7相近的元器件有:USBQNM50424CE3/TR7。描述及对比如下:
型号 USBQNM50415CE3/TR7 USBQNM50424CE3/TR7
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon Trans Voltage Suppressor Diode, 24V V(RWM), Bidirectional
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
Reach Compliance Code compliant compliant
击穿电压标称值 16.7 V 26.7 V
最大钳位电压 32 V 57 V
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-609代码 e3 e3
极性 BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压 15 V 24 V
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
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