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WED3DG6434V75D2

Synchronous DRAM Module, 32MX64, CMOS, DIMM-168

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Microsemi
零件包装代码
DIMM
包装说明
DIMM,
针数
168
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-XDMA-N168
内存密度
2147483648 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度
64
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
168
字数
33554432 words
字数代码
32000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
32MX64
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
参数对比
与WED3DG6434V75D2相近的元器件有:WED3DG6434V7D2、WED3DG6334V10D2、WED3DG6434V10D2、WED3DG6334V75D2、WED3DG6334V7D2。描述及对比如下:
型号 WED3DG6434V75D2 WED3DG6434V7D2 WED3DG6334V10D2 WED3DG6434V10D2 WED3DG6334V75D2 WED3DG6334V7D2
描述 Synchronous DRAM Module, 32MX64, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 32MX64, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 32MX64, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 32MX64, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 32MX64, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 32MX64, CMOS, DIMM-168
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM,
针数 168 168 168 168 168 168
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 168 168 168 168 168 168
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32MX64 32MX64 32MX64 32MX64 32MX64 32MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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器件捷径:
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