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XC17128-DD8M

Configuration Memory, 128KX1, Serial, CMOS, CDIP8, CERDIP-8

器件类别:存储    存储   

厂商名称:XILINX(赛灵思)

厂商官网:https://www.xilinx.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
XILINX(赛灵思)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP8,.3
针数
8
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
3A001.A.2.C
其他特性
USED FOR STORING THE CONFIGURATION BITSTREAMS OF XILINX FPGAS
最大时钟频率 (fCLK)
10 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-GDIP-T8
JESD-609代码
e0
长度
9.906 mm
内存密度
131072 bi
内存集成电路类型
CONFIGURATION MEMORY
内存宽度
1
功能数量
1
端子数量
8
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
128KX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
4.318 mm
最大待机电流
0.0005 A
最大压摆率
0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
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参数对比
与XC17128-DD8M相近的元器件有:XC17128-PD8C、XC17128-PC20C。描述及对比如下:
型号 XC17128-DD8M XC17128-PD8C XC17128-PC20C
描述 Configuration Memory, 128KX1, Serial, CMOS, CDIP8, CERDIP-8 Configuration Memory, 128KX1, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 Configuration Memory, 128KX1, Serial, CMOS, PQCC20, PLASTIC, LCC-20
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 XILINX(赛灵思) XILINX(赛灵思) XILINX(赛灵思)
零件包装代码 DIP DIP QLCC
包装说明 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 PLASTIC, LCC-20
针数 8 8 20
Reach Compliance Code unknow not_compliant _compli
ECCN代码 3A001.A.2.C EAR99 EAR99
其他特性 USED FOR STORING THE CONFIGURATION BITSTREAMS OF XILINX FPGAS USED FOR STORING THE CONFIGURATION BITSTREAMS OF XILINX FPGAS USED FOR STORING THE CONFIGURATION BITSTREAMS OF XILINX FPGAS
最大时钟频率 (fCLK) 10 MHz 10 MHz 10 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-GDIP-T8 R-PDIP-T8 S-PQCC-J20
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 9.906 mm 9.1948 mm 8.9662 mm
内存密度 131072 bi 131072 bit 131072 bi
内存集成电路类型 CONFIGURATION MEMORY CONFIGURATION MEMORY CONFIGURATION MEMORY
内存宽度 1 1 1
功能数量 1 1 1
端子数量 8 8 20
字数 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -40 °C -40 °C
组织 128KX1 128KX1 128KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP QCCJ
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3 LDCC20,.4SQ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE
封装形式 IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.318 mm 4.57 mm 4.318 mm
最大待机电流 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A
最大压摆率 0.01 mA 0.01 mA 0.01 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL QUAD
宽度 7.62 mm 7.62 mm 8.9662 mm
是否无铅 含铅 含铅 -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 225 -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 -
湿度敏感等级 - 1 3
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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