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XP151A13A0MR

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:100mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 N沟道

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:TOREX(特瑞仕)

厂商官网:http://www.torex.co.jp/chinese/

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
1A
漏源导通电阻
100mΩ @ 500mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
500mW
类型
N沟道
参数对比
与XP151A13A0MR相近的元器件有:XP151A13A0MR-G。描述及对比如下:
型号 XP151A13A0MR XP151A13A0MR-G
描述 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:100mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 N沟道 MOSFET
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