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1DI200Z-120

Power Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M106, 4 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Fuji Electric Co Ltd

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器件参数
参数名称
属性值
包装说明
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数
4
Reach Compliance Code
unknown
Is Samacsys
N
外壳连接
ISOLATED
最大集电极电流 (IC)
200 A
集电极-发射极最大电压
1200 V
配置
DARLINGTON, 3 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)
100
最大降落时间(tf)
2000 ns
JESD-30 代码
R-XUFM-X4
元件数量
1
端子数量
4
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
NPN
功耗环境最大值
1400 W
最大功率耗散 (Abs)
1400 W
认证状态
Not Qualified
最大上升时间(tr)
3000 ns
表面贴装
NO
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间(toff)
17000 ns
最大开启时间(吨)
3000 ns
VCEsat-Max
2.8 V
Base Number Matches
1
文档预览
Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
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