1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673
PBY 271 ... PBY 277
Silicon-Power Rectifiers
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Metal case – Metallgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Recommended mounting torque
Empfohlenes Anzugsdrehmoment
Silizium-Leistungs-Gleichrichter
12 A
50...1000 V
DO-4
5.5 g
18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
Dimensions / Maße in mm
Standard: Cathode to stud / am Gewinde
Index R:
Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1199 A/R)
Maximum ratings
Type
Typ
1N 1199 A
1N 1200 A
1N 1202 A
1N 1204 A
1N 1206 A
1N 3671
1N 3673
=
=
=
=
=
=
=
PBY 271
PBY 272
PBY 273
PBY 274
PBY 275
PBY 276
PBY 277
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
T
C
= 100
/
C
f > 15 Hz
T
A
= 25
/
C
T
A
= 25
/
C
T
A
= 25
/
C
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
60
120
240
480
720
1000
1200
12 A
1
)
40 A
1
)
220 A
240 A
240 A
2
s
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
I
FAV
I
FRM
I
FSM
I
FSM
i
2
t
) Valid, if the temp. of the stud is kept to 100
/
C – Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100
/
C gehalten wird
26.03.2002
1
1
1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673
PBY 271 ... PBY 277
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
– 65…+175
/
C
– 65…+175
/
C
Kennwerte
T
j
= 25
/
C
T
j
= 25
/
C
I
F
= 30 A
V
R
= V
RRM
V
F
I
R
R
thC
< 1.5 V
< 100
:
A
< 2 K/W
Characteristics
Forward voltage – Durchlaßspannung
Leakage current – Sperrstrom
Thermal resistance junction to stud
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
2
F:\Data\Wp\DatBlatt\Einzelblätter\1n1199-pby271...wpd
微控制器 MCU
