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1N5617

DIODE RECT STD REC A-PKG
二极管 RECT STD REC A-PKG

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Digitron

厂商官网:http://www.digitroncorp.com

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器件:1N5617

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Digitron
包装说明
O-XALF-W2
Reach Compliance Code
unknow
应用
FAST RECOVERY
最小击穿电压
440 V
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.6 V
JESD-30 代码
O-XALF-W2
JESD-609代码
e0
最大非重复峰值正向电流
25 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-65 °C
最大输出电流
1 A
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压
400 V
最大反向电流
0.5 µA
最大反向恢复时间
0.15 µs
反向测试电压
400 V
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
DIGITRON SEMICONDUCTORS
1N5615 – 1N5623
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature
Storage Temperature:
Thermal Resistance:
Surge Current:
-65°C to +175°C
-65°C to +200°C
-38°C/W
25A
FAST RECOVERY RECTIFIERS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Type
Peak Inverse
Voltage max.
PIV
Breakdown
Voltage min.
B
V
@ 50μA
Average
Rectified
Current
I
o
Amps
55°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
100°C
.750
.750
.750
.750
.750
0.8 min to
1.6 max
Forward
Voltage
max.
V
F
@ 3A
Volts
Reverse
Current max.
l
R
@ PIV
μA
25°C
.5
.5
.5
.5
.5
100°C
25
25
25
25
25
Capacitance
max.
C @ -12V
Surge
Current
max.
(Note 1)
Reverse
Recovery
max.
(Note 2)
I
F
(surge)
Amps
25
25
25
25
25
t
rr
n sec
150
150
250
300
500
Volts
1N5615
1N5617
1N5619
1N5621
1N5623
200
400
600
800
1000
Volts
220
440
660
880
1100
pF
45
35
25
20
15
Note 1: T
A
= 100°C, f = 60Hz, I
O
= 750 mA, 10-8 msec surges @ 1/minute
Note 2: I
F
= 0.5A, I
Rm
= 1A, i
R(REC)
= .250A
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Case:
Marking:
Polarity:
Digi A
Body painted, alpha-numeric
Cathode band.
Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix).
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
Rev. 20121119
DIGITRON SEMICONDUCTORS
1N5615 – 1N5623
FAST RECTIFIERS
144 Market Street
Kenilworth NJ 07033 USA
phone +1.908.245-7200
fax +1.908.245-0555
sales@digitroncorp.com
www.digitroncorp.com
Rev. 20121119
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参数对比
与1N5617相近的元器件有:1N5615、BF1211_15、1N5621、1N5623。描述及对比如下:
型号 1N5617 1N5615 BF1211_15 1N5621 1N5623
描述 DIODE RECT STD REC A-PKG 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE N-channel dual-gate MOS-FETs 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 Digitron Digitron - Digitron Digitron
包装说明 O-XALF-W2 O-XALF-W2 - O-XALF-W2 O-XALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow unknow
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY - FAST RECOVERY FAST RECOVERY
最小击穿电压 440 V 220 V - 880 V 1100 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED - ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.6 V 1.6 V - 1.6 V 1.6 V
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 - O-XALF-W2 O-XALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0
最大非重复峰值正向电流 25 A 25 A - 25 A 25 A
元件数量 1 1 - 1 1
相数 1 1 - 1 1
端子数量 2 2 - 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C - 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C - -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A - 1 A 1 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND - ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM - LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 400 V 200 V - 800 V 1000 V
最大反向电流 0.5 µA 0.5 µA - 0.5 µA 0.5 µA
最大反向恢复时间 0.15 µs 0.15 µs - 0.3 µs 0.5 µs
反向测试电压 400 V 200 V - 800 V 1000 V
表面贴装 NO NO - NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE - WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL - AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
要是论坛再为每一个购买SEED-EXP430F5529板的用户单独邮寄一个TPS75105DSKR就好了
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