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2N1132A

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Motorola ( NXP )

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Reach Compliance Code
unknown
最大集电极电流 (IC)
0.6 A
基于收集器的最大容量
30 pF
集电极-发射极最大电压
40 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
30
JEDEC-95代码
TO-205AD
JESD-30 代码
O-MBCY-W3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
PNP
功耗环境最大值
2 W
最大功率耗散 (Abs)
0.6 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
60 MHz
最大关闭时间(toff)
35 ns
最大开启时间(吨)
45 ns
VCEsat-Max
1.5 V
Base Number Matches
1
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