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2N1209

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin, TO-61, 3 PIN

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Semitronics Corp

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2N1209 在线购买

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器件：2N1209

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器件参数
参数名称
属性值
零件包装代码
TO-61
包装说明
POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
针数
3
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
5 A
集电极-发射极最大电压
45 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
20
JEDEC-95代码
TO-61
JESD-30 代码
O-MUPM-D3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
POST/STUD MOUNT
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
3.5 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
SOLDER LUG
端子位置
UPPER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
3 MHz
Base Number Matches
1
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