2N1986,2N1986 pdf中文资料,2N1986引脚图,2N1986电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

包装说明

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Reach Compliance Code

compli

ECCN代码

EAR99

最大集电极电流 (IC)

1 A

基于收集器的最大容量

35 pF

集电极-发射极最大电压

25 V

配置

SINGLE

最小直流电流增益 (hFE)

JEDEC-95代码

TO-39

JESD-30 代码

O-MBCY-W3

JESD-609代码

元件数量

端子数量

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

METAL

封装形状

ROUND

封装形式

CYLINDRICAL

极性/信道类型

NPN

最大功率耗散 (Abs)

0.6 W

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

WIRE

端子位置

BOTTOM

晶体管元件材料

SILICON

标称过渡频率 (fT)

40 MHz

VCEsat-Max

1.5 V

Base Number Matches

参数对比

与2N1986相近的元器件有：2N1644、2N1837、2N1838、2N1975、2N1889、2N1973、2N1974、2N1840、2N1972。描述及对比如下：

型号	2N1986	2N1644	2N1837	2N1838	2N1975	2N1889	2N1973	2N1974	2N1840	2N1972
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	60	40	40	40	15	40	75	35	10	110
JEDEC-95代码	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	200 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	40 MHz	50 MHz	140 MHz	90 MHz	40 MHz	50 MHz	60 MHz	50 MHz	90 MHz	50 MHz
VCEsat-Max	1.5 V	1.5 V	0.8 V	1.4 V	1.2 V	5 V	1.2 V	1.2 V	1.4 V	2 V
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
基于收集器的最大容量	35 pF	-	18 pF	27 pF	15 pF	15 pF	15 pF	15 pF	27 pF	25 pF
集电极-发射极最大电压	25 V	-	30 V	20 V	80 V	80 V	80 V	80 V	15 V	30 V
最大功率耗散 (Abs)	0.6 W	-	0.6 W	0.6 W	0.8 W	0.8 W	0.8 W	0.8 W	0.6 W	0.6 W