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2N2118

Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, 3 Pin,

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:API Technologies

厂商官网:http://www.apitech.com/about-api

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器件参数
参数名称
属性值
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
30 A
集电极-发射极最大电压
150 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
10
JEDEC-95代码
TO-114
JESD-30 代码
O-MUPM-D3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
POST/STUD MOUNT
极性/信道类型
NPN
功耗环境最大值
250 W
最大功率耗散 (Abs)
250 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
SOLDER LUG
端子位置
UPPER
晶体管元件材料
SILICON
VCEsat-Max
1.5 V
Base Number Matches
1
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