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2N2361

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Hi-Tron Semiconductor Corp

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Hi-Tron Semiconductor Corp
零件包装代码
BCY
包装说明
CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数
3
Reach Compliance Code
unknow
最大集电极电流 (IC)
0.05 A
配置
Single
最小直流电流增益 (hFE)
10
JEDEC-95代码
TO-12
JESD-30 代码
O-MBCY-W4
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
4
最高工作温度
125 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
0.06 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)
1600 MHz
参数对比
与2N2361相近的元器件有:2N1742、2N2360、2N2362、2N2398、2N2399。描述及对比如下:
型号 2N2361 2N1742 2N2360 2N2362 2N2398 2N2399
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), Germanium, PNP, TO-9, TO-9, 3 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp Hi-Tron Semiconductor Corp
零件包装代码 BCY TO-9 BCY BCY BCY BCY
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A
配置 Single Single Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 10 10 10 10 10 10
JEDEC-95代码 TO-12 TO-9 TO-12 TO-12 TO-12 TO-12
JESD-30 代码 O-MBCY-W4 O-MBCY-W3 O-MBCY-W4 O-MBCY-W4 O-MBCY-W4 O-MBCY-W4
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
端子数量 4 3 4 4 4 4
最高工作温度 125 °C 100 °C 125 °C 100 °C 100 °C 100 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.06 W 0.06 W 0.06 W 0.06 W 0.06 W 0.06 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 GERMANIUM GERMANIUM GERMANIUM GERMANIUM GERMANIUM GERMANIUM
标称过渡频率 (fT) 1600 MHz 10 MHz 1600 MHz 1600 MHz 1600 MHz 1600 MHz
元件数量 1 - 1 1 1 1
ECCN代码 - EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
集电极-发射极最大电压 - 20 V - 20 V 20 V 20 V
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