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2N2878

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 Pin

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Silicon Transistor Corporation

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器件参数

参数名称

属性值

包装说明

POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

外壳连接

COLLECTOR

最大集电极电流 (IC)

5 A

集电极-发射极最大电压

50 V

配置

SINGLE

最小直流电流增益 (hFE)

JEDEC-95代码

TO-111

JESD-30 代码

O-MUPM-D3

元件数量

端子数量

最高工作温度

175 °C

封装主体材料

METAL

封装形状

ROUND

封装形式

POST/STUD MOUNT

极性/信道类型

NPN

最大功率耗散 (Abs)

30 W

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

SOLDER LUG

端子位置

UPPER

晶体管元件材料

SILICON

标称过渡频率 (fT)

50 MHz

VCEsat-Max

2 V

Base Number Matches

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器件捷径:

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