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首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

2N3740

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：International Devices Inc

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2N3740 在线购买

供应商：

器件：2N3740

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
International Devices Inc
零件包装代码
TO-66
包装说明
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数
2
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
1 A
集电极-发射极最大电压
60 V
配置
Single
最小直流电流增益 (hFE)
30
JEDEC-95代码
TO-66
JESD-30 代码
O-MBFM-P2
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
25 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
PIN/PEG
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
4 MHz
文档预览
POWER SILICON TRANSISTORS
Item
Number
Part Number
Manufacturer
Type
Ic
Max
V
(BR)CEO
PD
Max
hFE
»T
•cBO
Max
k)N
Max
(8)
r
(CE)Mt
(A)
(V)
ON)
Min
(Hz)
(A)
Max
(Ohmt)
Toper
Max
(°C)
Package
Style
Devices 20 Watts or More, (Cont'd)
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Matsushita
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Solid Stlnc
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SldSt Indus
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See Index
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Diode Trans
Diode Trans
Diode Trans
ThmsnCSFEFC
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See Index
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SldSt Indus
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Diode Trans
Diode Trans
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参数对比
与2N3740相近的元器件有：2N4919。描述及对比如下：
型号 2N3740 2N4919
描述 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126VAR, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 International Devices Inc International Devices Inc
零件包装代码 TO-66 SIP
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 2 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 3
最高工作温度 200 °C 175 °C
封装主体材料 METAL PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 25 W 30 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 4 MHz 3 MHz
热门器件
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器件捷径:
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