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2N4093

Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-206AA, TO-18, 3 PIN
N沟道, 硅, 小信号, 结型场效应管, TO-18

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Microsemi

厂商官网：https://www.microsemi.com

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器件：2N4093

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1689287659
零件包装代码
BCY
包装说明
TO-18, 3 PIN
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
40 V
最大漏源导通电阻
80 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
5 pF
JEDEC-95代码
TO-206AA
JESD-30 代码
O-MBCY-W3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
DEPLETION MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.36 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
TIN LEAD
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
晶体管元件材料
SILICON
文档预览
TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
N-CHANNEL J-FET
Equivalent To MIL-PRF-19500/431
DEVICES
LEVELS
2N4091
2N4092
2N4093
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate Current
Power Dissipation
(1)
Operating Junction
Operating Storage Temperature Range
(1) Derate linearly 2.4 mW/°C for T
A
> 25°C.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Gate-Source Breakdown Voltage
V
DS
= 0, I
G
= -1.0μA dc
Gate Reverse Current
V
DS
= 0, V
GS
= -20V dc
Drain Current
V
GS
= -12V dc, V
DS
= 20V dc
V
GS
= -8.0V dc, V
DS
= 20V dc
V
GS
= -6.0V dc, V
DS
= 20V dc
Drain Current
V
GS
= 0, V
DS
= 20V dc
2N4091
2N4092
2N4093
Symbol
V
(BR)GSS
I
GSS
Min.
-40
-0.1
Max.
Unit
Vdc
ηA
T
A
= +25°C
Symbol
V
GS
V
DS
V
DG
I
G
P
T
T
j
T
stg
Value
-40
40
40
10
0.36
-65 to +175
-65 to +200
Unit
V
V
V
mAdc
W
°C
°C
MQ = JAN Equivalent
MX = JANTX Equivalent
MV = JANTXV Equivalent
TO-18
(TO-206AA)
I
D(off)
-0.1
ηA
2N4091
2N4092
2N4093
I
DSS
30
15
8.0
mA
Drain-Source On-State Voltage
V
GS
= 0, I
D
= 6.6mA dc
V
GS
= 0, I
D
= 4.0mA dc
V
GS
= 0, I
D
= 2.5mA dc
Static Drain-Source On-State Resistance
V
GS
= 0, I
D
= 1.0mA dc
2N4091
2N4092
2N4093
V
DS(on)
0.2
0.2
0.2
Vdc
2N4091
2N4092
2N4093
r
DS(on)
30
50
80
Ω
T4-LDS-0007 Rev. 1 (063388)
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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
N-CHANNEL J-FET
Equivalent To MIL-PRF-19500/431
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Parameters / Test Conditions
Small-Signal, Common-Source Reverse Transfer Capacitance
V
GS
= 20V dc, V
DS
= 0, f = 1.0MHz
Small-Signal, Common-Source Short-Circuit Input Capacitance
V
GS
= 0, V
DS
= 20V dc, f = 1.0MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS
Parameters / Test Conditions
Turn-On Delay Time
Symbol
2N4091
2N4092
2N4093
2N4091
2N4092
2N4093
2N4091
2N4092
2N4093
t
don
See Figure 3 of
MIL-PRF-19500/431
t
r
Min.
Max.
15
15
15
10
20
40
40
60
80
Unit
ηs
Symbol
C
rss
Min.
Max.
5.0
Unit
pF
C
iss
16
pF
Rise Time
ηs
Turn-Off Delay Time
t
doff
ηs
T4-LDS-0007 Rev. 1 (063388)
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参数对比
与2N4093相近的元器件有：2N4091、2N4092、2N4091_08。描述及对比如下：
型号 2N4093 2N4091 2N4092 2N4091_08
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-206AA, TO-18, 3 PIN 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-206AA 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-206AA 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-206AA
是否无铅 含铅 含铅 含铅 -
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 -
零件包装代码 BCY BCY BCY -
包装说明 TO-18, 3 PIN CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 -
针数 3 3 3 -
Reach Compliance Code unknown compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE -
最小漏源击穿电压 40 V 40 V 40 V -
最大漏源导通电阻 80 Ω 30 Ω 50 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
最大反馈电容 (Crss) 5 pF 5 pF 5 pF -
JEDEC-95代码 TO-206AA TO-206AA TO-206AA -
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 -
JESD-609代码 e0 e0 e0 -
元件数量 1 1 1 -
端子数量 3 3 3 -
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE -
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C -
封装主体材料 METAL METAL METAL -
封装形状 ROUND ROUND ROUND -
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 0.36 W 0.36 W 0.36 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO NO NO -
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 WIRE WIRE WIRE -
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON -
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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