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2N4297

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Semiconductor Technology Inc

器件标准： Rohs认证

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

符合

零件包装代码

TO-66

包装说明

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

针数

Reach Compliance Code

compliant

最大集电极电流 (IC)

1 A

配置

SINGLE

最小直流电流增益 (hFE)

JEDEC-95代码

TO-66

JESD-30 代码

O-MBFM-P2

元件数量

端子数量

最高工作温度

175 °C

封装主体材料

METAL

封装形状

ROUND

封装形式

FLANGE MOUNT

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性/信道类型

NPN

最大功率耗散 (Abs)

2 W

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

PIN/PEG

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

晶体管元件材料

SILICON

标称过渡频率 (fT)

30 MHz

Base Number Matches

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