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2N4298

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:General Diode Corp

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
General Diode Corp
零件包装代码
TO-66
包装说明
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数
2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
1 A
集电极-发射极最大电压
350 V
配置
Single
最小直流电流增益 (hFE)
25
JEDEC-95代码
TO-66
JESD-30 代码
O-MBFM-P2
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
2 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
PIN/PEG
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
20 MHz
Base Number Matches
1
文档预览
POWER SILICON NPN
Item
Number
Ic
Part Number
Manufacturer
Max
(A)
V(BR)CEO
hFE
fT
Max
(Hz)
ICBO
t,
Max
(8)
tf
(V)
Min
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Max
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Po
Max
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Toper
Max
Package
Style
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(Cont'd)
SemiconTech
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Index
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SemiconTech
SemiconTech
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-
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ST13006
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2SC2022
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-
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See Index
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SemiconTech
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SemiconTeeh
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Index
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