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2N5642

RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Advanced Semiconductor, Inc.

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器件参数
参数名称
属性值
包装说明
POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
3 A
基于收集器的最大容量
35 pF
集电极-发射极最大电压
35 V
配置
Single
最小直流电流增益 (hFE)
5
最高频带
VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
O-CRPM-F4
端子数量
4
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
ROUND
封装形式
POST/STUD MOUNT
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
30 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
FLAT
端子位置
RADIAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
250 MHz
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