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2N5833

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Central Semiconductor

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.6 A
集电极-发射极最大电压
180 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
50
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.625 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
100 MHz
Base Number Matches
1
文档预览
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824
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