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2N5870

5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
5 A, 60 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-3

器件类别：半导体    分立半导体   

厂商名称：SAVANTIC

厂商官网：http://www.svntc.com/

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
端子数量
2
晶体管极性
NPN
最大集电极电流
5 A
最大集电极发射极电压
60 V
状态
ACTIVE
包装形状
ROUND
包装尺寸
FLANGE MOUNT
端子形式
PIN/PEG
端子涂层
TIN LEAD
端子位置
BOTTOM
包装材料
METAL
结构
SINGLE
壳体连接
COLLECTOR
元件数量
1
晶体管元件材料
SILICON
晶体管类型
GENERAL PURPOSE POWER
最小直流放大倍数
20
额定交叉频率
4 MHz
文档预览
SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2N5869 2N5870
DESCRIPTION
·With TO-3 package
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For medium-speed switching and
amplifier applications
PINNING
PIN
1
2
3
Base
Emitter
Collector
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol
DESCRIPTION
Absolute maximum ratings(Ta=
)
SYMBOL
PARAMETER
2N5869
V
CBO
Collector-base voltage
2N5870
2N5869
V
CEO
Collector-emitter voltage
2N5870
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
stg
Emitter-base voltage
Collector current
Total Power Dissipation
Junction temperature
Storage temperature
T
C
=25
Open collector
Open base
80
5
5
87.5
150
-65~200
V
A
W
Open emitter
80
60
V
CONDITIONS
VALUE
60
V
UNIT
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-c
PARAMETER
Thermal resistance junction to case
VALUE
1.17
UNIT
/W
SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2N5869 2N5870
CHARACTERISTICS
Tj=25
unless otherwise specified
PARAMETER
2N5869
I
C
=0.1A ;I
B
=0
2N5870
I
C
=5A;I
B
=1A
I
C
=5A; I
B
=1A
V
CB
=ratedV
CBO
; I
B
=0
2N5869
I
CEO
Collector cut-off current
2N5870
I
EBO
h
FE
f
T
Emitter cut-off current
DC current gain
Trainsistion frequency
V
CE
=40V; I
B
=0
V
EB
=5V; I
C
=0
I
C
=1.5A ; V
CE
=4V
I
C
=0.5A ; V
CE
=10V;f=1MHz
20
4
1.0
100
MHz
mA
V
CE
=30V; I
B
=0
2.0
mA
80
1.0
1.5
1.0
V
V
mA
CONDITIONS
MIN
60
V
TYP.
MAX
UNIT
SYMBOL
V
CEO(SUS)
Collector-emitter
sustaining voltage
V
CEsat
V
BEsat
I
CBO
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Collector cut-off current
2
SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
PACKAGE OUTLINE
2N5869 2N5870
Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm)
3
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参数对比
与2N5870相近的元器件有：2N5869、2N6500。描述及对比如下：
型号 2N5870 2N5869 2N6500
描述 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS
端子数量 2 2 -
晶体管极性 NPN NPN -
最大集电极电流 5 A 5 A -
最大集电极发射极电压 60 V 60 V -
状态 ACTIVE ACTIVE -
包装形状 ROUND ROUND -
包装尺寸 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG -
端子涂层 TIN LEAD TIN LEAD -
端子位置 BOTTOM BOTTOM -
包装材料 METAL METAL -
结构 SINGLE SINGLE -
壳体连接 COLLECTOR COLLECTOR -
元件数量 1 1 -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER -
最小直流放大倍数 20 20 -
额定交叉频率 4 MHz 4 MHz -
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L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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