型号
  • 型号
  • 关键词
首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

2N6294TIN/LEAD

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), NPN,

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Central Semiconductor

下载文档
参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
,
Reach Compliance Code
_compli
最大集电极电流 (IC)
4 A
配置
Single
最小直流电流增益 (hFE)
750
JESD-609代码
e0
最高工作温度
200 °C
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
50 W
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
标称过渡频率 (fT)
4 MHz
Base Number Matches
1
文档预览
2N6294 2N6295
2N6296 2N6297
NPN
PNP
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
COMPLEMENTARY SILICON
DARLINGTON POWER
TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6294, 2N6296
series types are complementary silicon Darlington
power transistors, manufactured by the epitaxial base
process, designed for high gain amplifier and medium
speed switching applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-66 CASE
2N6294
2N6296
60
60
2N6295
2N6297
80
80
MAXIMUM RATINGS:
(TC=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Continuous Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
ICEV
ICEV
ICEO
IEBO
BVCEO
BVCEO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
hfe
fT
Cob
Cob
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ, Tstg
JC
5.0
4.0
8.0
80
50
-65 to +200
3.5
UNITS
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C/W
CHARACTERISTICS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
VCE=Rated VCEO, VEB=1.5V
VCE=Rated VCEO, VEB=1.5V, TC=150°C
VCE=½Rated VCEO
VEB=5.0V
IC=50mA, (2N6294, 2N6296)
IC=50mA, (2N6295, 2N6297)
IC=2.0A, IB=8.0mA
IC=4.0A, IB=40mA
IC=4.0A, IB=40mA
VCE=3.0V, IC=2.0A
VCE=3.0V, IC=2.0A
VCE=3.0V, IC=4.0A
VCE=3.0V, IC=1.5A, f=1.0kHz
VCE=3.0V, IC=1.5A, f=1.0MHz
VCB=10V, IE=0, f=100kHz (NPN types)
VCB=10V, IE=0, f=100kHz (PNP types)
MAX
0.5
5.0
0.5
2.0
UNITS
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
60
80
2.0
3.0
4.0
2.8
18K
750
100
300
4.0
120
200
MHz
pF
pF
R1 (18-September 2012)
2N6294 2N6295
2N6296 2N6297
NPN
PNP
COMPLEMENTARY SILICON
DARLINGTON POWER
TRANSISTORS
TO-66 CASE - MECHANICAL OUTLINE
MARKING:
FULL PART NUMBER
R1 (18-September 2012)
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
查看更多>
参数对比
与2N6294TIN/LEAD相近的元器件有：2N6296LEADFREE、2N6296TIN/LEAD、2N6295LEADFREE、2N6297LEADFREE、2N6294LEADFREE。描述及对比如下：
型号 2N6294TIN/LEAD 2N6296LEADFREE 2N6296TIN/LEAD 2N6295LEADFREE 2N6297LEADFREE 2N6294LEADFREE
描述 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), NPN, Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, Power Bipolar Transistor, 4A I(C), PNP, Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code _compli _compli _compli _compli _compli _compli
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A
配置 Single DARLINGTON Single DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 750 100 750 750 750 750
JESD-609代码 e0 e3 e0 e3 e3 e3
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED 260 260 260
极性/信道类型 NPN PNP PNP NPN PNP NPN
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN (315) Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315)
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10 NOT SPECIFIED 10 10 10
标称过渡频率 (fT) 4 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
是否无铅 - 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅
ECCN代码 - EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 - COLLECTOR - COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
集电极-发射极最大电压 - 60 V - 80 V 80 V 60 V
JEDEC-95代码 - TO-66 - TO-66 TO-66 TO-66
JESD-30 代码 - O-MBFM-P2 - O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 - 1 - 1 1 1
端子数量 - 2 - 2 2 2
封装主体材料 - METAL - METAL METAL METAL
封装形状 - ROUND - ROUND ROUND ROUND
封装形式 - FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
端子形式 - PIN/PEG - PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 - BOTTOM - BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 - SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON - SILICON SILICON SILICON
热门器件
热门资源推荐
有奖直播：ADI软件定义无线电ADALM-Pluto入门实战 报名中~ 限流电路的设计原理 EEWORLD大学堂----直播回放: 安森美电感式位置传感器接口 NCS32100 猜一猜，两会点名后，“人工智能”将如何发展？ 读取精度：±(0.02% of reading +5mV) 05.31【每日一问】电机调速 关于GaN离位阈值 拆解 I-Mu/幻响幻响 羊眉吐气 蓝牙音箱 “数”说世界杯 集成电路ESD防护设计理论、方法与实践 [韩雁，董树荣著][科学出版社][2014.08][215页]
PIC单片机控制的遥控防盗报警器电路 红外线探测报警器 使用ESP8266从NTP服务器获取时间并在OLED显示器上显示 开关电源的基本组成及工作原理 用NE555制作定时器 RS-485基础知识:处理空闲总线条件的两种常见方法 如何构建一个触摸传感器电路 如何调制IC555振荡器 基于ICL296的大电流开关稳压器电源电路 基于TDA2003的简单低功耗汽车立体声放大器电路
器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
需要登录后才可以下载。
登录取消