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2N6739-DR6259

8A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Intersil ( Renesas )

厂商官网:http://www.intersil.com/cda/home/

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器件参数
参数名称
属性值
Objectid
1407134913
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
YTEOL
0
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
8 A
基于收集器的最大容量
300 pF
集电极-发射极最大电压
350 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
10
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
NPN
功耗环境最大值
100 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
15 MHz
最大关闭时间(toff)
2900 ns
最大开启时间(吨)
600 ns
VCEsat-Max
2 V
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