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2N6796

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:TT Electronics plc

厂商官网:http://www.ttelectronics.com/

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器件:2N6796

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
TT Electronics plc
包装说明
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
8 A
最大漏源导通电阻
0.18 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-205AF
JESD-30 代码
O-MBCY-W3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
32 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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器件捷径:
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