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2N708

Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]

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器件:2N708

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code
compli
基于收集器的最大容量
6 pF
集电极-发射极最大电压
15 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
30
JEDEC-95代码
TO-18
JESD-30 代码
O-MBCY-W3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.36 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
300 MHz
最大关闭时间(toff)
70 ns
VCEsat-Max
0.4 V
Base Number Matches
1
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参数对比
与2N708相近的元器件有:2N834、2N3117、2N720A、2N2586、2N6430、2N3647、2N718、2N911、2N720。描述及对比如下:
型号 2N708 2N834 2N3117 2N720A 2N2586 2N6430 2N3647 2N718 2N911 2N720
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18 Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli compliant compliant compli
集电极-发射极最大电压 15 V 20 V 60 V 80 V 45 V 200 V 10 V 30 V 60 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 25 400 40 80 50 25 40 15 40
JEDEC-95代码 TO-18 TO-18 TO-18 TO-18 TO-18 TO-18 TO-18 TO-18 TO-18 TO-18
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 200 °C 175 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 175 °C 200 °C 175 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.36 W 0.3 W 0.36 W 0.5 W 0.3 W 0.5 W 2 W 0.4 W 0.5 W 0.4 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 350 MHz 60 MHz 50 MHz 45 MHz 50 MHz 350 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz
基于收集器的最大容量 6 pF 4 pF 4.5 pF 15 pF 2 pF 4 pF - 35 pF - 20 pF
JESD-609代码 e0 e0 e0 - e0 e0 e0 e0 e0 -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
VCEsat-Max 0.4 V 0.4 V 0.35 V 5 V 0.5 V 0.5 V - 1.5 V 1.2 V 5 V
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) - 0.2 A 0.05 A - 0.03 A 0.05 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.4 A
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器件捷径:
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