首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

2N7227

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Omnirel Corp

下载文档
2N7227 在线购买

供应商:

器件:2N7227

价格:-

最低购买:-

库存:点击查看

点击购买

器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Omnirel Corp
包装说明
HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
HIGH RELIABILITY
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
14 A
最大漏极电流 (ID)
9 A
最大漏源导通电阻
0.415 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-254AA
JESD-30 代码
S-MSFM-P3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
SQUARE
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
56 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
PIN/PEG
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
文档预览
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
查看更多>
参数对比
与2N7227相近的元器件有:2N7228、2N7225。描述及对比如下:
型号 2N7227 2N7228 2N7225
描述 Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.515ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Omnirel Corp Omnirel Corp Omnirel Corp
包装说明 HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 400 V 500 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 14 A 12 A 27.4 A
最大漏极电流 (ID) 9 A 8 A 17 A
最大漏源导通电阻 0.415 Ω 0.515 Ω 0.105 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA TO-254AA
JESD-30 代码 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W 150 W 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 56 A 48 A 110 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
需要登录后才可以下载。
登录取消