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2N7323D

23A, 100V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Renesas(瑞萨电子)

厂商官网:https://www.renesas.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
其他特性
RADIATION HARDENED
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
23 A
最大漏极电流 (ID)
23 A
最大漏源导通电阻
0.14 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-254AA
JESD-30 代码
S-MSFM-P3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
SQUARE
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
P-CHANNEL
功耗环境最大值
125 W
最大功率耗散 (Abs)
125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
69 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
PIN/PEG
端子位置
SINGLE
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间(toff)
400 ns
最大开启时间(吨)
790 ns
Base Number Matches
1
热门器件
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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